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采用原位时间分辨红外光谱(in situ TR-FTIR)技术,在500~600℃、时间分辨率优于0.3s的条件下,对CH4/O2/He(2/1/45,摩尔比)混合气在不同预处理后的Rh/SiO2,Ru/γ-Al2O3和Ru/SiO2上的反应及其与催化剂上吸附CO物种的作用情况进行了跟踪、考察。实验结果表明,在还原态和工作态Rh/SiO2上,CO是POM反应的初级产物。由甲烷直接脱氢生成表面吸附氢 相似文献
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a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了a-Si/SiO2超晶格。利用TEM和X射线衍射技术对其结构进行了分析,并采用多种光谱测量手段,如Raman光谱、吸收光谱和光致发光谱,对该结构的光学性质进行了研究。结果表明,随纳米Si层厚度的减小,Raman峰发生展宽,吸收边以及光荧光峰发生蓝移。用单光束Z扫描技术研究了a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质。这一结果较多孔硅的相应值大两个量级。还对影响非线 相似文献
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《科学通报》2020,(1)
单个体电化学通过在限域电化学测量界面上检测单个纳米粒子、单个脂质体、单个细胞等的电化学特性,实现对单个体各向异性的研究.这种高度灵敏的电化学方法能够快速测量并区分纳米级单个体的大小和表面电荷等.目前,已在单颗粒催化、环境监测和细胞分析等领域得到应用.本研究通过使用尺寸可控的石英纳米孔作为模板,将贵金属金沉积在石英纳米孔尖端,以形成用于单个体测量的纳米级电化学限域界面,从而制备具有高灵敏度的闭合式无线纳米孔电极.利用该电极构建了单个体电化学测量体系,实现了单个外泌体的检测,获得了信噪比高达25.1的单个外泌体碰撞信号,电化学测量平均电流幅值为15.1 pA,单个信号持续时间为0.4 ms,从而实现了单个外泌体与纳米电极间动态相互作用的实时测量. 相似文献
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为了阐明氢吸附和氧吸附对掺硼金刚石薄膜电极电化学性能的影响, 考查了表面氢化和氧化处理后金刚石薄膜的微观形貌和组分, 并分别以氢吸附和氧吸附掺硼金刚石薄膜作为工作电极, 进行循环伏安特性和交流阻抗谱测试. 结果表明, 氧吸附金刚石薄膜比氢吸附薄膜电导率小, 表面粗糙度大, sp3/sp2值小. 氧吸附金刚石薄膜电极具有更宽的电化学窗口, 其空间电荷层电阻和电容更大, 极化电阻也比氢吸附金刚石薄膜电极要大. 另外, 探讨了表面吸附对金刚石薄膜电极电化学性能的影响机理, 不同吸附对薄膜电化学性能的影响主要在于吸附改变了表面能带结构. 相似文献
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阿霉素(ADM)在0.005mol.L^-1Tris/0.05mol.L^-1NaCl溶液中,在Co/GCE上有一灵敏的还原峰,。峰电位为-0.62V(对SCE),峰电流与ADM的浓度有关,用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为,实验表明,电极过程是受吸附控制的准可逆过程,注入的钴催化了ADM的还原,根据Laviron 吸附理论,求得电极反应速率常数k0=2.15s^-1,电荷转移系数α=0.62,用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段,对离子注入修饰电极表面的元素组成,价态和深度分 布进行测定,钴离子确实对注入在GCE表面,并初步认为,被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原。 相似文献
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电位平均SERS技术研究物种在整个吸附电位区间的行为 总被引:1,自引:0,他引:1
表面增强拉曼散射(SERS)技术是原位研究电化学界面结构的重要谱学工具,但是SERS技术存在一严重的不足之处,即无法在表面物种的整个吸附电位区间定量(半定量)地研究其覆盖度与电极电位的关系。例如,要获得SCN~-弱吸附在银电极上(在电位负于—0.9Vvs SCE的区间)的SERS信号十分困难,尽管电化学测试表明,在此电位区间 相似文献
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Rh(100)上Sm膜及Sm/Rh表面合金的结构和性质 总被引:1,自引:1,他引:0
应用AES,LEED,XPS和TDS研究了稀土金属Sm室温下在 Rh(100)表面上的生长过程.发现室温下Sm膜的生长服从Stranski-Krastanov生长模式,XPS证明为三价的“金属态” Sm.但Sm膜经 900K高温退火后可形成C(52~(1/2)×2~(1/2))R45°和 C(2×2)超结构的有序表面合金;同时,芯能级 Sm3d5/2向高结合能方向位移了0.7eV,表明有电子进一步由 Sm向衬底 Rh传递,导致在 Rh上吸附的 CO分子的热脱附峰温增加. 相似文献
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应用Auger电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS)和程序升温热脱附谱(TDS)研究了SmOx/Rh(100)模型表面的制备及CO在该表面的吸附。Sm和氧的强亲合作用经起了Sm在表面的强烈偏析。氧化表面的高温热处理,导致SmOx在Rh(100)表面的进一步聚集,与120K吸附在清洁Rm(100)表面的CO的热脱附谱相比较,吸附在SmOx/Rh(100)表面的CO的热脱附谱中在176,331和600K出现了新的脱附峰,其中位于176K的脱附峰可归属于吸附在SmOx岛上的CO的脱附,而位于331,600K的脱附峰的出现与表面Sm原子的氧化程度有关,可分别归属为吸附在富氧和贫氧SmOx岛周界面Rh原子上的CO的脱附。 相似文献
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多孔硅中硅量子线横截面尺寸的“恒定”与“台阶”行为 总被引:1,自引:1,他引:1
硅是间接禁带半导体,禁带宽度为1.11eV不可能在可见光区发光。1990年,Canham发现电化学阳极氧化制备的多孔硅(porous silicon缩写为PS)样品在室温下出现强烈的光致荧光现象。从此PS引起人们的极大兴趣。大量的实验结果表明PS的光致荧光现象是PS层中的量子限制效应的结果。本课题组曾研究了PS样品制备后的氧化处理与光致荧光谱的关系,从一个侧面支持了量子限制效应导致PS光致荧光的机理。PS的电化学形成过程独具特色,因为硅电极并不像其他电极那样在阳极溶解时表面原子逐层剥落,而是在硅表面形成许多直径为微米至纳米级的小孔,小孔的交叠产生了具有抗溶解特性的一根根很细的硅柱。目前有一些PS形成机理的研究报道,但引入量子限制效应观点的不多。 本文研究了PS的光致荧光谱和制备时的电流密度及HF溶液浓度的关系,结合量子限制效应讨论了PS的电化学形成过程。 相似文献