大比表面积γ-Mo2N催化剂合成条件的考察

利用MoO3 和氮化气 (N2 H2 混合气 )的程序升温氮化气固还原反应合成了大比表面积的γ Mo2 N催化剂。氮化气空速及其组成、程序升温速率对大比表面积γ Mo2 N催化剂的形成有重要的影响。提高氮化气空速、降低程序升温速率有利于高比表面积γ Mo2 N催化剂的生成。合成气中水的存在影响着产物的组成和BET比表面积的大小。XRD分析表明 ,当合成气中含有一定量的水时 ,产物中有金属Mo生成。在富氢氮化气氛下可获得大比表面积的γ Mo2 N催化剂 ;在乏氢氮化气氛下生成的γ Mo2 N催化剂的比表面积较小 ,且产物中存在一定量的MoO2 。采用两段升温程序 ,可得到比表面积为 16 5m2 /g的γ Mo2 N催化剂     

氮化钼催化剂上CO加氢反应的原位红外研究

采用MoO3 或CoMoOy 与N2 /H2 的程序升温还原反应 ,合成出了BET比表面积为 16 5m2 /g和 15 8m2 /g的Mo2 N和CoMoNx。用CO的加氢反应作为探针反应 ,并结合原位傅立叶变换红外光谱 (FT IR)技术评价了合成催化剂的加氢性能。结果表明 ,氮化钼催化剂具有较高的CO加氢活性和CH4 选择性 ,催化剂的预处理条件对其反应性能有明显的影响 ,钝化态的氮化钼经在 6 73K下的加氢还原并不能提高其加氢性能     

氮化钼催化剂上CO加氢反应的原位红外研究

采用MoO3或CoMoOy与N2／H2程序升温还原反应,合成出了BET比表面积为165m^2/g和158m^2/g的Mo2N和CoMoNx,用CO的加氢反应作为探针反应,并结合原位傅立叶变换－红外光谱（FT－IR）技术评价了合成催化剂的加氢性能。结果表明,氮化钼催化剂具有较高的CO加氢活性和CH4选择性,催化剂的预处理条件对其反应性能有明显的影响,钝化态的氮化钼经在673K下的加氢还原并不能提高其加氢性能。     

淀粉基活性炭的制备及在超级电容器中的应用

以淀粉为原料,分别采用H₃PO₄活化法和物理-化学复合活化法制备活性炭,并将制备的活性炭组装成超级电容器。研究了制备工艺对活性炭孔结构及电容特性的影响;通过氮气吸附和SEM方法表征了淀粉基活性炭的孔结构和表面形貌,通过循环伏安曲线、恒流充放电、交流阻抗实验考察了其电化学性能。结果表明,比表面积与比电容并没有线性关系;物理-化学复合活化法在温度为850 ℃、活化时间为2h条件下,制备的淀粉基活性炭比表面积为1438 m²/g,比电容为150 F/g。     

草酸盐共沉淀法制备超细Ce0.8Y0.2O1.9粉体的工艺条件

使用草酸铵作为沉淀剂,用共沉淀法制备超细Ce0.8Y0.2O1.9粉体,研究了沉淀反应温度、沉淀剂初始浓度、沉淀方式和洗涤介质对粉体比表面积和粒度的影响;采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对产物的性能进行表征,BET法测定样品的比表面积,计算粉体颗粒的平均晶粒度和平均等效直径dBET及产物的产率,并由此确定了较佳的工艺制备条件.     

大比表面积γ—Mo2N催化剂合成条件的考察

利用ＭｏＯ３和氮化气（Ｎ２－Ｈ２混合气）的程序升温氮化气固还原反应合成了大比表面积的γ－Ｍｏ２Ｎ催化剂。氮化气空速及其组成、程序升温速率对大比表面积γ－Ｍｏ２Ｎ催化剂的形成２有重要的影响。提高氮化气空速、降低程序升温速率有利于高比表面积γ－Ｍｏ２Ｎ催化剂的生成。合成气中水的存在影响着产物的组成和ＢＥＴ比表面积的大小。ＸＲＤ分析表明,当合成气中含有一定量的水时,产物中有金属Ｍｏ生成。在富氢氮化气氛下     

高比表面积TiO_2纳米颗粒的制备及光催化性能研究

以钛酸四丁酯为钛源,采用流变相法制备出了具有高比表面积的二氧化钛（TiO2）纳米颗粒.采用X射线衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）和比表面积及孔径分析仪（BET）对TiO2的晶型、形貌及比表面积进行了表征,结果显示产物为锐钛矿型,平均粒径约为8.4 nm,比表面积为423.7 m2/g.光催化实验表明,样品在可见光（λ〉420 nm）下反应180 min后,能将罗丹明B（RhB）降解95%左右.     

自清洁陶瓷光催化降解油酸特性的研究

制备了表面镀有ＴｉＯ２薄膜的自清洁陶瓷．利用ＸＲＤ、ＡＥＳ和原位光催化反应等方法研究了其光催化降解油酸的特性,考察了热处理条件、膜厚度、光照时间和陶瓷表面油酸浓度等光催化膜制备与反应条件对自清洁陶瓷光催化活性的影响．研究结果表明．油酸光降解为动力学一级反应;自清洁陶瓷的光催化活性决定于负载光催化膜的晶相组成、晶粒大小及其比表面积．     

电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)

用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 ,并对实验结果作了初步讨论     

Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided SiO2 Films

用卤素-钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN),在〈100〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了SiSiOxNyAl电容,并测量了由低场到FN隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy膜的电流传输特性.测量结果说明,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别,而在高场范围对〈100〉晶向电容结构的FN隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的FN隧穿电流显著增加,并对实验结果作了初步讨论.     

The first observation of Mo5+ in the passivation layer of Mo2N

Molybdenum nitride powder with sg of 115 m2·g-1 (passivated) has been prepared by a temperature programmed reaction of MoO3 in H2/N2 mixture. It exhibited high catalytic activity in CO oxidation at low temperature. XPS, EPR and LRS studies have shown the existence of mixed valence states of Mo ions, especially Mo5+ ion (g⊥=1.932, g‖=1.892) observed for the first time, in the passivation layer of molybdenum nitride. A surface superoxide species, O-2(g = 2.001, Raman band 1 124 cm-1), was found to be produced accompanying the transformation of Mo5+/Mo4+ redox pair. Evidence has been given to suggest that this surface superoxide might be responsible for CO oxidation over Mo2N catalyst.     

碳化钼和氮化钼结构、催化加氢性能及制备

就碳化钼和氮化钼结构及性质对芳香烃加氢、不饱和烃加氢、CO加氢以及加氢脱硫和脱氮等反应催化性能及其制备化学进行了综述．     

催化新材料氮(碳)化钼研究进展

利用ＭｏＯ３和ＮＨ３（ＣＨ４）的程序升温反应为合成高比表面积的氮（碳）化钼提供了新的方法,但是要作为工业催化剂批量生产仍存在许多困难。探索新的合成途径,研究其催化机理的工作仍有待深入。高比表面积氮化钼和碳化钼是一种新型催化材料,从催化剂的合成和表征、催化性能和助剂的研究等方面对高比表面积的氮（碳）化钼进行了系统的论述,并对研究中存在的问题进行了讨论。     

The first observation of Mo5+ in the passivation layer of Mo2N

Molybdenum nitride powder with S_g of 115 m² · g¹ (passivated) has been prepared by a temperature programmed reaction of MoO₃in H₂/N₂ mixture. It exhibited high catalytic activity in CO oxidation at low temperature. XPS, EPR and LRS studies have shown the existence of mixed valence states of Mo ions, especially Mo⁵⁺ ion (g(tT=1.932,g||=1.892) observed for the first time, in the passivation layer of molybdenum nitride. A surface Superoxide species, O₂ (g = 2.001, Raman band 1 124 cm¹), was found to be produced accompanying the transformation of Mo⁵⁺/Mo⁴⁺ redox pair. Evidence has been given to suggest that this surface superoxide might be responsible for CO oxidation over Mo₂N catalyst.     

改进型过氧钼酸法制备无定形MoO3薄膜

通过金属钼粉与H2O2反应制得过氧钼酸溶胶液后,减压蒸馏除去过氧钼酸溶液中的溶剂水和过量的H2O2,再加入无水乙醇作为溶剂,采用浸泽一提拉法成功地在玻璃表面制备了平整均匀的无定形MoO3薄膜．并通过热分析和X射线衍射分析等对MoO3薄膜的制备机理进行了探讨．     

基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响

采用微波等离子体化学气相沉积法,Ｎ２／ＣＨ４作反应气体,在Ｓｉ（１００）基体上沉积β－ＣＮ化合物。使用Ｘ射线光电子能谱研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明：随着温度的提高,Ｎ／Ｃ原子比迅速提高,ａ－和β－Ｃ３Ｎ４在薄膜中的比例随之提高。     

基于流态化技术硅粉直接氮化制备氮化硅粉

提出了一种基于流态化技术,利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉的新工艺。在常温下,以氮气为载气,将硅粉快速流化并夹带离开供料装置,硅粉和氮气组成的气-固两相流进入到预热器中,预热后的混合物从底部进入到高温悬浮床的高温区,以稀相气力输送的方式连续穿过高温悬浮床,在高温常压下发生燃烧合成反应,最后在出口经冷却装置冷却后,由收集装置收集,得到氮化产物。借助SEM、XRD、元素分析和FTIR等方法分析了氮化产物的形貌、物相组成、化学成分以及价键结构。实验结果表明：对于平均粒径为2.7μm的硅粉,在反应温度为1653K, 反应时间为2.7min时,硅的转化率为53.4%,氮化产物为非晶氮化硅粉。通过理论预测,如果将反应温度升高至1723K,硅粉氮化7.1min后,其转化率可达99%。本文提出的方法可连续制备优质氮化硅粉,而且比现有的其他制备方法具有更高的生产效率。     

钒酸铋复合钼基氧化物的制备及降解有机染料废水性能研究

介绍了钒酸铋复合钼基氧化物。将稀硝酸、十六烷基三甲基溴化铵、钼酸钠、氢氧化钠和钒酸铋作为试剂对钒酸铋复合钼基氧化物进行制备,给出详细制备过程。通过样品结构表征结果,选择样品A对有机染料废水进行降解。分析了有机染料废水降解性能的评价方法,将酸性红B溶液看作有机染料废水进行实验,介绍了其紫外分光光度计曲线和标准曲线,对酸性红B溶液的降解率进行计算。在双氧水添加情况、催化剂使用量以及降解反应时间不同的情况下,采用制备的钒酸铋复合钼基氧化物对酸性红B溶液进行降解,分析降解性能。结果表明,钒酸铋复合钼基氧化物能够有效降解有机染料废水。     

质子交换膜燃料电池Pt/C电催化剂的制备研究

采用浸渍还原法 ,用H2 [PtCl6]制备了高分散的纳米级碳载铂 (Pt/C)电催化剂 .探讨了搅拌方式、H2 [PtCl6]浓度、反应温度、碳的热处理等因素对电催化剂性能的影响 .得到了较适宜的制备工艺 .