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相似文献
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1.
用分子轨道理论推导了3d^3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V^2+在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V^2+在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验.  相似文献   

2.
用分子轨道理论推导了3d3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V2 在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V2 在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验.  相似文献   

3.
本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xSe和Zn_(1-x)Co_xS中Co ̄(2+)离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较,获得了相应的晶场参量D_q,Racah静电参量B,C和自旋-轨道耦合参数λ。本文对Zn_(1-x)Co_xSe和Zn_(1-x)Co_xS分别指认了观测到的Co ̄(2+)离子能级间的跃迁。对较低能级部分,实验结果与理论计算符合较好。  相似文献   

4.
NH_4 Br:Cu~(2+)的EPR参量研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
用晶体场理论研究了3d9离子Cu2+在NH4Br中的EPR参量,采用半自洽波函数模型计算了NH4Br:Cu2+的二阶和三阶近似下的g因子和A因子,计算结果与实验符合;比较了NH4Br:Cu2+和NH4Cl:Cu2+的光谱实验值,发现它们的能级次序不同.  相似文献   

5.
本文首次用自旋极化的DV-Xα方法,在位形坐标模型和线性模近似下,计算了激光晶体CsCaF3:V^2 的振动结构.获得了振动频率.根合因子,Franck-Condon支距和Huang-Rhys因子等位形坐标参量。计算值与实验值很一致.  相似文献   

6.
该文考虑了d电子t2g轨道和eg 轨道局域性差别的影响 ,并计及Racah参量A对光谱跃迁的贡献 ,导出了 3d7电子组态在Td 对称下的哈密顿矩阵公式 .从理论上研究了Co2 + :MgGa2 Se4 中Co2 + 离子的吸收光谱 ,理论结果与实验结果吻合很好 .  相似文献   

7.
应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响,因此不能忽略.  相似文献   

8.
应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响,因此不能忽略.  相似文献   

9.
应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B00的条件下, 分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响, 因此不能忽略.  相似文献   

10.
作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量,计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai),计算结果与实验结果符合较好。  相似文献   

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