2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计

为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求，基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）.该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡，在Cascode结构输入和输出间并联反馈电容，实现输入端噪声与增益的同时匹配.设计了一种改进的动态偏置有源电流镜以提升输入 1 dB压缩点及输入三阶交调点的线性度指标.为满足应用需求，LNA与射频开关及电源模块集成组成低噪声射频前端接收芯片进行流片加工测试.测试结果表明：在工作频率2.4 ~2.5 GHz内，整个接收芯片增益为14.6 ~15.2 dB，S11、S22<-9.8 dB，NF<2.1 dB，2.45 GHz输入1 dB压缩点为-2.7 dBm，输入三阶交调点为+12 dBm.芯片面积为1.23 mm×0.91 mm.该测试结果与仿真结果表现出较好的一致性，所设计的LNA展现出了较好的线性度表现.     

3.1～10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计

采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1～10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.     

基于电流复用与有源电感的UWB LNA

设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益,并且保持了Cascode结构高反向隔离性的优点.采用有源电感替代输出级的螺旋电感,减小了芯片面积,并且通过改变有源电感等效电感值的大小,实现UWB LNA增益的调节功能.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用射频/微波集成电路仿真工具ADS对该UWB LNA进行了验证.结果表明:在3.1~10.6GHz频段内,增益大于14.1dB,噪声系数小于4.0dB,输入与输出反射系数均小于-10dB,频率为7GHz时输入三阶交调点为-11dBm,功耗为19.75mW.     

用于GNSS的高增益宽带低噪声放大器

基于UMC 0.18 μm CMOS 工艺,设计了一款用于全球卫星导航系统(GNSS)的宽带低噪声放大器(LNA). 其中,采用并联反馈电阻噪声抵消结构降低整体电路的噪声,使用电感峰化技术提升工作频带内的增益平坦度,进而优化高频噪声性能. 此外,采用共源共栅结构提高电路的反向隔离度. 仿真结果表明,在电源电压为1.8 V 的条件下,低噪声放大器的-3 dB 带宽为1 GHz,最大增益为15.08 dB,在1-2 GHz 内增益变化范围为±1 dB,噪声系数为2.65-2.82 dB,输入回波损耗和反向传输系数分别小于-13 dB 和-40 dB. 芯片核心面积为740 μm×445 μm.     

一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA

基于0.5μm赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计制造了一款工作于450~470MHz频段的单片集成低噪声放大器(LNA),该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配,减小了无源元件占有的芯片面积,达到了单片集成的目的,同时降低了使用成本.测试结果表明,该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0.5dB的噪声系数,其低噪声性能十分优秀,这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性.     

基于多重反馈环路技术的0.8～5.2GHz CMOS宽带LNA设计

在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入级MOS管跨导设计的灵活性,并可通过输出负载阻抗反过来控制输入阻抗匹配,使得提出的LNA在宽频率范围内实现功率增益、输入阻抗与噪声系数的同时优化.后版图仿真结果显示,在0.8~5.2GHz频段内,该宽带LNA的功率增益范围为12.0~14.5dB,输入反射系数S_(11)为-8.0~-17.6dB,输出反射系数S_(22)为-10.0~-32.4dB,反向传输系数S12小于-45.6dB,噪声系数NF为3.7~4.1dB.在3GHz时的输入三阶交调点IIP3为-4.0dBm.芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率仅为9.0mW,芯片总面积为0.7mm×0.8mm.     

作为世界文学研究的美国华裔英语文学批评

在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18 μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2 GHz宽带低噪声放大器(LNA). 该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入级MOS管跨导设计的灵活性,并可通过输出负载阻抗反过来控制输入阻抗匹配,使得提出的LNA在宽频率范围内实现功率增益、输入阻抗与噪声系数的同时优化. 后版图仿真结果显示,在0.8~5.2 GHz频段内,该宽带LNA的功率增益范围为12.0~14.5 dB,输入反射系数S11为-8.0~-17.6 dB,输出反射系数S22为-10.0~-32.4 dB,反向传输系数S12小于-45.6 dB,噪声系数NF为3.7~4.1 dB. 在3 GHz时的输入三阶交调点IIP3为-4.0 dBm. 芯片在1.5 V电源电压下,消耗的功率仅为9.0 mW,芯片总面积为0.7 mm×0.8 mm.     

GSM基站应用的平衡式低噪声放大器

该文叙述一种用于GSM基站前端的集成低噪声放大器的设计方案和测试结果.采用微带线匹配 网络,利用Ansoft软件完成设计和仿真.放大器在880～915 MHz频率范围内增益为16 dB左右 ,噪声系数小于0.4 dB.测试结果达到了实用的指标要求.     

一种全频段GNSS应用的低噪声放大器

设计一种满足全频段全球卫星导航系统(global navigation satellite system,GNSS)接收机应用要求的低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)。为提高射频前端的集成度并降低成本,提出一种基于发射极电感负反馈结构宽带LNA的实现方法,并对电路结构、宽带输入阻抗匹配和噪声性能进行分析。电路采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计和实现。研究结果表明:在GNSS全频段范围(1 164~1 610 MHz)内,输入回损大于8.0 dB,输出回损大于8.9 dB,噪声系数低于1.30 dB,功率增益高于14.9 dB,输入三阶互调点为-5.8 dBm。芯片最低功耗为9.6 mW,面积约为600μm×650μm。     

1．8GHz基站前端射频低噪声放大器的仿真与实现

介绍了一种1．8GHz基站前端射频低噪声放大器（LNA）的设计方法，采用Agient公司的仿真软件ADS对其进行了仿真和优化，同时完成了实物加工和测试．测试结果表明，采用本方案设计的LNA增益约为12.5dB，噪声系数约为1．3dB，性能稳定，完全达到了通信接收机中对LNA指标的要求．     

Low Carbon Low Alloy Submicro-Steel with Nano-Precipitates

A submicro-steel sheet was successfully fabricated by severe warm-wiling at 773 K through a single pass. The microstructure was characterized first and the thermal stability of the submicro-steel was investigated by annealing the steel at different temperatures.Results indicate that grains are nearly equiaxial with an average diameter of 300 nm for grains near to the surface and 600 nm for grains at the center of the sheet and the submicro-steel can be subjected to annealing at 773 K without obvious grain growth. The formation of the submicro-structure can be related to a severe plastic deformation-induced grain refinement mechanism. The unusually high thermal stability can be attributed to the pinning effect of numerous uniformly-distributed nano-precipitates in the steel. The average diameter of the larger precipitates is about 30 nm and the smaller less than 10 inn.     

一种带保护电路的低功耗LDO

为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。     

Low Sulfur Low Olefin Gasoline Production by RIDOS Technology

1Worldwidetrendsingasolinespecifica tions　Anincreasingdemandexistsinthelasttwodecadesforau tomotivefuels .Fuelquality (fuelreformulation)andengineefficiencyhaveconstantlybeenimproved .Themostsignifi cantchangewastheeliminationofleadingasolineinanum berofcountries ,includingChina .Progressivelystrongerregulationshavebeenenactedbymanycountriestoreducetheemissionsfromtransportationengines .Experimentaldatashowthatreducingsulfurandolefincontentingasolinemaybeoneofthebestwaystoimproveautomobileem…     

用于植入式医用芯片的低电压低功耗SAR ADC

为适应植入式医用芯片的使用要求,给出一低电压低功耗逐次逼近型模数转换器(SARADC)的设计。从降低功耗出发,提出了一种新的能量高效开关策略。与传统开关策略相比,电容阵列的平均开关能量减少了68%,电容阵列的面积仅为传统开关策略的50%;采用带校正的动态比较器,在提高精度的同时可以降低功耗;采用异步时钟,省略了高频时钟产生器,进一步降低了功耗。提出的5 Ms-111位SAR ADC采用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺流片。供电电压低至1 V,功耗仅为0.236 mW,SNDR,SFDR分别达到55.1,68.38 dB。核心面积为650μm×1 000μm,符合植入式系统的要求。     

吐哈低粘低渗-特低渗油田渗流特征研究

在对吐哈油田大量的岩心测试实验分析的基础上,并结合油藏数值模拟技术,研究并确定了低粘低渗-特低渗油田的渗流特征为随着储层物性的变差,压敏性增强,流体可流动区间变小,启动压力梯度增大;在油水两相区,随着含水饱和度的增大,油相相对渗透率下降很快,水相相对渗透率上升很慢,残余油饱和度下水相相对渗透率值很小;在水驱油过程中,对于不同的韵律层,由于油水粘度比小,可以自动调节水淹剖面,导致了层内纵向上活塞式驱替特征十分明显,表现出与中粘中高渗油田的渗流特征有很大的差别.     

低孔低渗气藏高效低伤害压裂液研究

根据延长气田低孔低渗的特点,研究了一种能够适应该储层的高效低伤害压裂液。通过对压裂液各个组分的配比的研究优化出此压裂液的最佳配比,并进一步研究了此压裂液的抗剪切性能、携砂性能、破胶性能以及对地层的伤害性,发现本压裂液有着强稳定能力、流变性强,携砂能力强,破胶快及低伤害等特点,现场进行5口井的压裂施工试验,结果证明对延长油田低孔低渗气藏有较好的压裂增产效果。     

一种适用于低压低功耗Sigma-Delta数据转换器的运算放大器

通过比较两种常用的运算放大器结构,提出了一种适用于低压低功耗Sigma-Delta数据转换器的运算放大器结构,并在Chartered公司的0.35μm互补型金属氧化物半导体工艺下完成了该放大器的设计.仿真结果表明,放大器的直流增益为77 dB,单位增益带宽为36 MHz,相位裕度为48,°可满足低频高分辨率Sigma-Delta调制器的设计要求.     

低耗散低色散有限差分格式误差分析

基于7点中心色散保持(DRP)空间离散格式,结合5种龙格库塔(RK)时间积分方法,从误差构成、误差传播、误差累积3个角度出发,采用传统Von Neumann误差分析方法和修正误差传播分析方法,分析比较了各时间离散格式和全离散格式的耗散色散误差,波数分辨能力,长距离波计算误差传播,低频波、中频波、高频波的误差累积特性,还从稳定性、求解精度等角度分析比较了各组合格式的优劣,获得了与7点中心DRP格式组合的最佳时间离散格式ORK6;最后对一维标量和矢量波动问题计算验证了各组合格式的准确模拟能力.     

过程低碳化：低碳经济之路的创新战略

低碳经济是一种以可持续健康发展为核心理念的发展形态。循环经济与循环社会模式为低碳经济发展奠定了理论与实践基础。当前的低碳经济发展主要聚焦于新能源生产为主导的源头低碳化领域。而强调生产与生活领域的节能、降耗、减排为主的过程低碳化应该成为低碳经济的重要战略。过程低碳化提倡基于公共行为理念的变革,目标是要将低碳生活方式引入大众日常行为之中,从而透过技术创新、政策调整、文化激励等措施以推动低碳经济又好又快发展。     

酸性媒介黑T低温低铬染色工艺的探讨

对酸性媒介黑Ｔ低温低铬染色工艺进行试验研究．结果表明，用氨／盐溶液在一定条件下预处理的羊毛，在８０～８５℃下加适当稀土染色、其上染率高于常规染色，染色牢度达到常规染色水平，并能减少红矾用量、降低纤维损伤、节约能量和染料、降低铬污染．