诱导效应指数与硅烷基衍生物的标准生成热和键裂能

利用诱导效应指数，建立了两种计算硅烷基衍生物ＸＳｉＲｘＨ３－ｘ的标准生成热的方法，１８个可比较值的平均偏差分别为２．４６ｋＪ·ｍｏｌ－１，１．４１ｋＪ·ｍｏｌ－１。同时得到两种计算ＸＳｉＲｘＨ３－ｘ键裂能的方法。１８个可比较值的平均偏差分别为２．５２ｋＪ·ｍｏｌ－１，１．４３ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

基团电负性与CH3—X和R—X的键裂能关系

利用基团电负性ＸＧ分别建立了计算ＣＨ３－Ｘ键与Ｒ－Ｘ键的键裂能方法。计算得到的８个ＣＨ３－Ｘ，２０个Ｒ－Ｘ可比较数据的平均偏差分别为２．０６ｋＪ．ｍｏｌ＾－１，２．６７ｋＪ．ｍｏｌ＾－１。     

诱导效应指数与CH_3-X/H-X的键裂能之差

利用诱导效应指数Ｉ，建立了计算一些ＣＨ３－Ｘ的键裂能的方法，并计算了一些甲基衍生物ＣＨ３－Ｘ的键裂能，其平均偏差为１．９３ｋＪ·ｍｏｌ－１。同时，推导出由ＤＨＯｍ（ＨＸ）和Ｉ计算烷基衍生物的键裂能的方法。２３个可比较值的平均偏差为２．６８ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

H3-xRxSi—X键的键离解能及硅烷基自由基生成热的计算

基于基团电负性用硅烷基的结构参数建立了硅烷基衍生物H3-xRxSi—X键的键离解能以及硅烷基自由基生成热的经验计算方法,利用此方法计算出了一系列H3-xRxSi—X键的键离解能,与已知的28个文献数据比较,平均偏差为4.02 kJ.mol-1,计算出来的烷基自由基的标准生成热与已知的4个文献值比较,平均偏差仅为0.30 kJ.mol-1。     

含氮含硫有机物的键裂能和自由基的标准生成热的计算

建立了用基团电负性计算含氮含硫有机物键裂能的简单方法，并且得到自由基标准生成热的计算方法。计算了一些含氮含硫有机物键裂能及自由基的标准生成热，平均偏差分别为３．６１ｋＪ·ｍｏｌ－１，２．４２ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

诱导效应指数与烷基衍生物的标准汽化热

利用诱导效应指数建立了一个用以计算烷基衍生物的标准汽化热的简单方法，利用此法计算了一些烷基衍生物的汽化热，４７个可比较值的平均偏差为１．３２ｋＪ·ｍｏｌ＾－１。     

诱导效应指数与烷基衍生物某些热力学参数的关系

利用诱导效应指数，分别建立了计算烷基衍生物的标准生成热、键裂能的方法，并且得到自由基的生成热的计算方法。计算了一些烷基衍生物的标准生成热、键裂能及自由基的标准生成热，平均偏差分别为２．１８ｋＪ·ｍｏｌ－１，２．３９ｋＪ·ｍｏｌ－１，１．８７ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

基团电负性与含氮含硫有机物的键裂能

建立了用基团电负性计算含氮含硫有机物的键裂能的简单方法．利用此方法计算出２２个含氮含硫烷基衍生物的键裂能,其平均偏差为３．７０ｋＪｍｏｌ－１．     

含氮含硫有机物的键裂能的计算

】本文建立了用基团电负性计算含氮含硫有机物的键裂能的简单方法。利用此方法计算出２２个含氮含硫烷基衍生物的键裂能，其平均偏差为３．９７ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

烷基衍生物标准生成热和键裂能的经验计算公式

通过研究与基团Ｘ的诱导效应指数Ｉ间的关系，提出一个方程：（式中：），Ｐ为ＨＸ分子中氢原子的个数，Ｉ为诱导效应指数）。利用上式，计算了一些甲基衍生物ＣＨ３Ｘ（Ｘ＝Ｆ，ＯＨ，Ｃｌ，ＮＨ２，Ｂｒ，ＳＨ，ＰＨ２，ＳｅＨ）的标准生成热，计算结果的平均偏差为１．７ｋＪ·ｍｏｌ－１，同时推导出由和Ｉ计算烷基衍生物标准生成热的方法，计算了３１个烷基衍生物的生成热，计算结果的的平均偏差为３．３ｋＪ·ｍｏｌ－１，还计算了２２个烷基衍生物的键裂能，计算结果的平均偏差为２．０ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

f(x)=(u(x))/x型函数的n阶导函数

采用递推法证明了 u(x)x 的高阶导函数的一般表达式 ,可方便地利用计算机编程 .得到特殊点极限的表达式 ,公式简便     

f(x)=u(x)/x型函数的n阶导函数

采用递推法证明了u(x)/x的高阶导函数的一般表达式，可方便地利用计算机编程，得到特殊点极限的表达式，公式简便。     

K[x_1,x_2;x_1~(-1),x_2~(-1)]上的分次扩张

设V是域K上的一个全赋值环,B1=i∈ZAi,0Xi1,B2=j∈ZA0,jXj2分别是K[x1,x-11],K[x2,x-12]上V的分次扩张,令A=i,j∈ZAi,jXi1Xj2是K[x1,x2;x-11,x-12]的一个子集,本文对K[x1,x2;x-11,x-12]中V的分次扩张进行了刻画。对B1、B2的所有可能的情形,本文证明了A的存在性,并讨论了B1、B2在若干条件下,A的唯一性。     

关于丢番图方程x(x+1)(x+2)=2py~n

设p为奇素数.证明了:①若整数n>2,则丢番图方程x(x+1)(x+2)=2pyn仅有正整数解(p,x,y)=(3,1,1);②若整数n=2,则丢番图方程x(x+1)(x+2)=2pyn在p■1(mod 8)时仅有正整数解(p,x,y)=(3,1,1),(3,2,2),(3,48,140),(11,98,210);在p≡1(mod 8)时的正整数解为(p,xn,yn)=(p,16t2n,4untnsn),这里p,un,tn,sn满足sn+2=6sn+1-sn,s1=3,s2=17,tn+2=6tn+1-tn,t1=1,t2=6及pu2n=16t2n+1.     

多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．     

Room-temperature ferro-magnetic semiconductor MnxGa1-xSb

Magnetic semiconductors can combine the semi- conducting properties with magnetic properties, and be used in these applications, such as magnetic field sensors, magnetic memory elements and, in long range, quantum computation and communication.Ⅱ-Ⅵ based diluted magnetic semiconductors (DMSs) have been extensively studied[1—3], because some magnetic ions are easily incor-porated into Ⅱ-Ⅵ compounds by substituting group Ⅱ atoms. It was conventionally considered that the equilib-rium solubi…     

一类混合单调算子方程A（x，x）=（1—α）x的不动点

利用Mann迭代技巧,讨论了不具有连续性和紧性条件的混合单调算子方程A（x,x）=（1-α）x解的存在唯一性,并给出了迭代序列收敛于解的误差估计．     

关于函数方程φ（f（x））＝f＇（x）φ（x）解的讨论

研究函数方程，给出了这种方程的一个新的函数级数解和极限形式的解，并且利用其解得到了一种区间上的同胚嵌入流的方法。     

迭代微分方程(x)+g(x(x))=p(t)的周期解

研究二阶迭代微分方程x^.. g(x(x))=p(t）T－周期解的存在性，其中，g,p均连续，p(t T)=p(t)，且∫o^Tp(t)dt=0。主要方法是先估计解的先验界，再用Mawhin连续性定理得出周期解的存在性。在对g要求更宽松的条件下，得到了方程T－周期解存在的充分条件。