氧化锌纳米线阵列的无模板法制备

报道了一种氧化锌纳米线阵列的无模板电沉积制备方法.这种方法制备的氧化锌纳米线阵列具有（0001）趋向.单根氧化锌纳米线具有很好单晶结构，因而氧化锌阵列具有优异的紫外发光特性.其生长过程可以概括为衬底诱导的趋向氧化锌晶核在平衡状态下的快速生长.     

超长ZnSe纳米线的制备及其光学性能研究

利用2元混合溶剂(CHA/DIW)合成体系,制备了立方相具有周期性结构的孪晶Zn Se纳米线.所有纳米线都向一个方向生长,即垂直于立方相Zn Se的(111).结果表明:利用水/胺2元混合溶液可制得各种复杂形貌的半导体材料,这种2元体系可控制合成不同的硫属半导体纳米材料,也为制备其它具有光学性能可调的半导体纳米晶提供了一条普适的合成路线.     

Si纳米线的气-液-固生长与结构表征

以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固(VLS)生长机制在n-Si(111)单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20～200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素.讨论了生长温度、SiH_4流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响.     

单温区管式炉气相输运生长NbSe_2超导单晶

化学气相输运(CVT)生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运,并成功生长出了Nb Se2单晶。运用扫描电子显微镜,X射线衍射仪等方法对制备的Nb Se2单晶进行了形貌和结构的表征,并测量了低温下Nb Se2单晶的磁化率和电阻性质。结果表明,实验上生长出来的Nb Se2单晶具有金属光泽,晶体尺寸约为2 mm×2 mm,超导转变温度和转变宽度分别为7.1 K和0.3 K,超导体积分数约为79%。因此,单温区管式炉生长晶体的方法也可用于其他功能材料单晶的制备。     

ZnO纳米线和纳米杆的热氧化前驱体法制备及拉曼分析

采用热氧化线状Zn前驱体法,在压强为5 Pa,温度分别为400 ℃和600 ℃的条件下,制备了单晶ZnO纳米线和纳米杆.用SEM观察了样品的表面形貌,用XRD和HRTEM研究了样品的晶体结构和形态,分析表明细ZnO纳米线是通过"自催化液-固"过程沿着[21-1-10]方向生长,而ZnO纳米杆则依照气-固机制沿着[0001]方向生长.在室温下测量了514.5 nm激发下的拉曼光谱,结果表明由细ZnO纳米线和粗轴组成的样品拥有较多的氧空位,而在高温下氧化得到的ZnO纳米杆的结晶程度比较好,晶格结构更加完整.     

ZnS纳米线的生长动力学和形貌演化

2002年,我们第一次利用非平衡生长条件制备了[110]取向的ZnS单晶纳米线。通常情况下生长[001]取向的ZnS纳米线比较容易,依据平衡生长热力学原理,ZnS沿着[001]方向生长导致(001)面(带有极性的高能面)     

单晶β-Ga2O3纳米线的原位生长及其光致发光性能

通过在N2气氛中将金属镓加热到900℃,在镓颗粒表面大面积生长出-βGa2O3纳米线.采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所得产物为单斜相单晶结构Ga2O3纳米线,其直径为50-100 nm,长度为30-100μm.提出了Ga2O3纳米线可能的生长机理.室温下研究了所得Ga2O3纳米线的光致发光特性,观察到起源于氧空位的电子与镓-氧空位对上的空穴复合产生的发光峰在457 nm的蓝光发光.     

一维纳米结构材料的水热合成:钒酸盐单晶纳米线和纳米带

一维纳米结构纳米棒、纳米线、纳米带和纳米管由于其独特的大小、形貌依赖的性质和作为纳米器件的重要组元和连接已经越来越受到广泛关注。钒酸盐晶体内在各向异性的多钒酸根长链结构和层状结构可能导致在合适溶液反应条件下控制生长成为一维纳米结构材料。基于以上考虑,一种简单容易的水热合成方法导致了预期的NaV60,6和NaV60,43H20单晶纳米线以及Nao.33Vi05nH:0 (n<1.3)单晶纳米带的控制生长。所有合成产物的相组成、结构和形貌分别通过XRD.SEM.TEM和SHED等分析技术进行分析和表征。因此,可以预期这种方法可能被应用于其它具有类似结构材料的一维纳米晶的合成。     

银单晶纳米线的气相合成及其表面增强拉曼散射特性(英文)

通过气-液-固(VLS)机制,利用热蒸发方法在Ag/ZnO同轴结构纳米线中合成了单晶Ag纳米线.ZnO壳的限制作用被认为是促成了Ag单晶相的形成.通过腐蚀掉ZnO壳而获得的银纳米线,其直径可以通过改变源中银的含量来调控.这些高质量的银纳米线具有明显的表面增强拉曼散射(SERS)增强效果.     

用低温化学气相沉积法大量制备单晶ZnO纳米线及其光致发光研究

在氩气气氛中,利用物理蒸发高纯Zn粉和SiO2纳米粉混合物的方法,控制温度在650℃时,获得了大量的六方相ZnO纳米线,直径约40nm,这和先前报道的制备ZnO纳米线的方法相比,温度降低了大约200℃-300℃.纳米线的生长过程中遵循气-固相生长机制.荧光光谱表明产物具有两个发射带,一个处于紫外波段,另一个处在绿光发射带.