高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计

大功率半导体激光器，有一个很重要的问题就是散热问题．为了制作出高质量的半导体激光器，我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系，择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料，从而设计出AlInGaAs／AlGaAs,／GaAs应变量子阱激光器，20～40℃时T0值可达到200K，最低阈值电流密度为126A／cm^2。     

AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究

本文采用波长都是808nm，有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器，针对其热特性做了对比实验．结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器．在20℃时，特征温度可达到200K，阈值电流380mA，而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器，最大寿命达4000h，这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据，也拓宽了808nm激光材料的选择范围．     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

半导体激光器短电脉冲调制光脉冲的产生与控制

对半导体激光器短电脉冲调制增益开关法产生皮秒光脉冲动力学过程进行理论分析和实验研究，基于单模数率方程，采用相图（Ｐｈａｓｅ Ｐｏｒｔｒａｉｔｓ）法分析激光器激射皮秒光脉冲时载流子浓度和光子密度变化的对应关系。探讨直流参数、调制脉冲参数和器件寄生参量等对产生皮秒光脉冲的影响，在此基础上，研究ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器短电脉冲调制产生单发激光脉冲最佳的实验条件。     

铬离子激活晶体发光的温度变化特性

本文分析了温度变化对于处于强场或中介场基质晶体中铬离子宽带发光性能的影响,指出有可能在某一温度范围内,这种材料的宽带发光效率高且热淬灭不甚显著而成为制造终端声子激光器的合适材料。并分析论证了在500～600K温度条件下用红宝石制作可调谐激光器的可能性,建议开展高温下红宝石发光性能的实验研究。     

N型4H—SiC中载流子密度和霍耳迁移率的模拟及研究

采用流体动力学平衡方程在温度为３０ Ｋ 到１０００ Ｋ 范围内计算了霍耳迁移率，并用补偿模式研究了载流子密度与温度的关系．结果表明，电离杂质散射对霍耳迁移率与温度的关系有很大的影响．霍耳迁移率的低温值主要由电离杂质散射确定，而它的高温尾取决于声学声子，极化光学声子和谷间声子散射．计算的霍耳迁移率与实验数据相符     

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对８０８ｎｍ大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,８０８ｎｍ大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要１／ｆ噪工在阈值附近有最大值。     

温度对InAlAs/InGaAs量子级联激光器性能的影响

设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如偶极矩阵元、散射时间、增益系数、阈值电流密度、外微分量子效率等.分析了温度对阈值电流密度及激光输出功率的影响.结果表明在300K下输出功率为15m W,外微分量子效率为10%,部分参数优于相关文献.也为室温下工作的量子级联激光器设计奠定了理论基础.     

混沌半导体激光器研究进展

混沌激光具有宽频谱、类噪声的特点，已广泛应用于通信、传感和激光雷达等领域.半导体激光器因体积小、性能稳定、成本低等优势而成为产生混沌激光的主要光源.传统光反馈混沌半导体激光器信号带宽窄，存在时延特征，且大多为分立器件构成的系统.针对以上问题，综合介绍了近年来在混沌激光带宽增强、时延特征抑制和集成化混沌激光器方面的研究进展，并对混沌半导体激光器的发展趋势和应用前景进行展望.     

一种聚合物ERF的温度依赖性

研究了温度对ＥＲＦ表观粘度和对通过其电流大小的影响．温度对ＥＲＦ表观粘度的影响，在无电场和给定电场下是完全相反的，零电场下其粘温关系符合Ａｎｄｒａｄｅ方程，温度升高，其表观粘度变小；在给定电场下，其表观粘度随温度上升而增加．通过ＥＲＦ中的电流随温度升高而加大．     

激光器输出频宽公式的修正

在参考文献[1]中,作者曾针对激光器内光强分布的横向不均匀性,讨论了腔内相干光净损耗功率、贮能和激光频宽的计算方法.本文将把这种讨论推广到腔内光强的横向和纵向分布都不均匀的普遍情况,并修正了Townes、Maitland等人所引证的激光器输出频宽公式.最后,以圆柱形单模激光器为例,估算了由于光强分布的不均匀性所引起的频宽的相对修正值.     

激光液相烧蚀制备TiO2纳米颗粒的研究

利用脉冲激光器对金属钛靶进行液相烧蚀,在不同的激光烧蚀功率下,制备出了TiO2纳米颗粒．利用原子力显微镜、X射线衍射对TiO2纳米颗粒的形貌、结构进行了表征,讨论了TiO2纳米颗粒的尺寸随着激光输出能量的变化关系,并对TiO2纳米颗粒的烧蚀机制进行了分析．     

钻杆接头激光淬火硬度及金相分析

利用大功率ＣＯ２激光对钻杆接头表面进行处理．通过显微硬度计测定了硬化层硬度的分布规律，并对硬化层进行了金相分析．结果表明激光处理后钻杆接头表面为理想的针状马氏体，表面硬度有很大提高．     

一个用原子激光测量引力场微小变化的实验设计

利用原子激光良好的相干性,以及在引力场中会发生相位变化的特点,设计一个能够测量引力场微小变化的实验方案.     

GeO_2基Er~(3 )和Yb~(3 )共掺杂氟氧混合物材料的上转换发光

制备了以GeO2 为基础的 6个Er3 与Yb3 共掺杂样品 ,并测试了它们在 85 8nm半导体激光和 930nm二极管激光激发下的荧光谱 ,测量发现 ,在 930nm二极管激光激发下各样品的荧光强度较之 85 8nm半导体激光激发下的荧光强度普遍要强 ,且Ge4,Ge5两样品较之其余四个样品在两种光源的激发下的绿光段的荧光强度要强的多 ,且用肉眼在白天即可见到很强的绿光 .简单分析了它们的上转换机制 .     

Kerr透镜锁模的谐振腔中脉冲参数的数值模拟

解决了由克尔透镜锁模的飞秒脉冲固体激光的时空模型中脉冲参数的相互关系.根据随时间变化的脉冲的形状和KLM飞秒脉冲激光对于谐振腔中的空间光束参数建立了时空往返模型.     

激光照射下生物组织解冻过程的理论分析

将激光传输的七流模型和固液相变传热的等效热容法相结合,提出了激光照射下生物组织解冻过程的二维数值计算模型.数值计算结果与有关分析解进行了比较,吻合良好.最后,运用此模型考察了生物组织光学性质和激光照射参数对激光照射所引起的组织解冻过程的影响.     

真空激光准直系统在金安桥水电站变形监测的应用

真空激光准直系统是我国自行研制的具有高精度且能同时观测水平位移和垂直位移的监测仪器。研究重点介绍了金安桥水电站大坝真空激光准直系统的系统组成和系统工作原理。在大坝坝顶左岸、坝顶右岸及廊道布置真空激光准直系统,通过对这些测点的位移数据收集,及时准确地反应了大坝位移的情况,能够实现对大坝坝顶左岸、坝顶右岸及廊道的监测,取得了良好的效果。作为新兴的监测手段,激光系统设备在监测中发挥了其时效性强、监测变量多、精度较高等特点,能够很好地实现大坝水平和垂直位移同步自动监测,具有很高的实用价值。     

用Nd:YAP激光器诱导蒸气沉积硅薄膜

在室温条件下用脉冲Nd:YAP激光器将光束聚焦在硅片上,使硅原子蒸气在不同基板上沉积成膜.激光器脉宽为300~400微秒,长脉冲经一级放大后在1.075μm波段的能量为每个脉冲8焦尔.蒸发池子用一台机械泵抽到真空度1×1^-2乇,用石英或玻璃作窗口.沉积的薄膜具有银灰色光泽.用X射线衍射和金相显微分析法证明所获得的是多晶硅薄膜.     

泵浦起伏对掺铒光纤激光器稳定性的影响

研究掺铒光纤激光器的瞬态特性,给出了泵浦起伏下的光子数密度扰动时变关系式,并给出了一级近似的光子数密度扰动函数,特别分析了白噪声和共振现象.