Si3N4／SiO2栅pH—ISFET传感器的设计与模型

提出了一种含微参比电极和择优差补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＤＩ材料和硅微机械加工技术，研制成ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ４栅ＰＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能和稳定性的影响，对进一步改善ＰＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能提供了一种实际的考虑。     

a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

掺杂元素物态对PTC材料性能的影响

研究了Ｙ－Ｓｂ，Ｌｉ－Ｍｎ，Ｓｉ－Ａｌ等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣ）材料性能的影响。实验结果表明，Ｌｉ－Ｍｎ液相掺杂可以提高材料ＰＴＣ效应及耐压值；Ｓｉ－Ａｌ液相掺杂可降低材料室温电阻率，提高材料耐压值，Ｙ－Ｓｂ液相掺杂可以降低材料室温电阻率，但ＰＴＣ效应有所降低     

CdS／SiO2和ZnS／SiO2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的…

采用溶胶－凝胶和原位生长工艺成功地制备了ＣｄＳ／ＳｉＯ３和ＺｎＳ／ＳｉＯ２半导体微晶掺杂玻璃，给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及最新实验结果。利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在１０＾－２０ｍ＾２／Ｗ。此结果比纯ＳｉＯ２基本提高约２－３个数量级。表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强。     

多晶硅压力传感器温度自补偿性能研究

介绍了多晶硅压力传感器的温度特性。重点研究了ＬＰＣＶＤ．Ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜的掺杂浓度对传感器温度特性的影响。通过理论分析和实验研究，找到了实现传感器温度自补偿的最佳掺杂浓度值。获得了工作温度高，温度特性好的压力传感器，实验结果与理论分析相符。     

CdS/SiO_2和ZnS/SiO_2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的研究

采用溶胶－凝胶和原位生长工艺成功地制备了 ＣｄＳ／ＳｉＯ２和 ＺｎＳ／ＳｉＯ２半导体微晶掺杂玻璃，给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及其最新实验结果．利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在１０－２０ｍ２／Ｗ．此结果比纯ＳｉＯ２基体提高约２～３个数量级．表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强．在同样实验条件下，测得 ＣＳ２的三阶非线性极化率Ｘ（３）为（２．４±０．３）× １０－２０ ｍ２／Ｗ，与国际上报导的结果完全一致．     

Sol—gel法合成Bi1.6Pb0.3Sb0.1Sr2Ca2Cu3Ox体系的超…

本文用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高Ｔｃ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较。用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间，促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短。     

微型流量传感器呼吸监测及信号处理系统

用一种深掺杂硅材料制成的微型流量传感器来测量呼吸气流的流量 ,并用信号处理电路对微型流量传感器的输出进行鉴别 ,就可以监视呼吸系统状态的微小变化 .传感器偏置电压的变化对系统的稳定性有重要的影响 .通常 ,温度和环境的变化会使某些被认为是常量的参量发生意外的变化 .信号处理系统部分论述了使用自动补偿系统来消除上述变化的影响 ,并给出了实用电子设备中 ,消除各种干扰因素的一些方法 .     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功。这是一个ｎ沟道壁强型器件，具有曲折栅结构，沟道长约１０μｍ，宽〉８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３３０００Ａ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个ＡｕＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文叙述了该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计，工作原理和主要性能，对某些有关问题进行了初步讨论。     

SiC材料导热系数和热膨胀系数与温度关系

研究冷等静压ＳｉＣ材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系。结果表明，ＳｉＣ材料导热系数（λ）与温度（Ｔ）成反比，其线膨胀系数（ａ）与温度成正比。从理论上探讨了提高其热稳定性的途径；给出了ＳｉＣ材料导热系数和线膨胀系数与温度之间的关联式，为高温陶瓷换热器的设计及应用提供科学依据。     

Research on Nanofabrication Technology of Micro-/Nano-Stereo Rapid Prototyping of PCVD

At present, the most common micro/nano-scale fabri ca tion processes include the plane silicon process based on IC technology, stereo silicon process, LIGA, quasi-LIGA based on near ultra violet deep lithography, MEMS, energy beam etching and micro/nano-machining, etc. A common problem for t hese processes is the difficulty to fabricate arbitrary form for 3-dimensional micro/nano-parts, devices or mechanisms. To develop advanced MEMS manufacturin g technology, and to achieve fabrication of true 3-dimen...     

高效液相色谱法测定对氨基苯磺酸中的有关杂质

用反相高效液相色谱法同时测定工业对氨基苯磺酸中的几种微量杂质 (邻氨基苯磺酸、间氨基苯磺酸、苯胺).以0.1 mol/L 磷酸二氢铵为流动相,采用SUPELCOSIL LC-18-DB(5 μm,150 mm×4.6 mm I.D.)色谱柱,紫外检测波长 205 nm,流速1 mL/min.方法快速准确、灵敏度高、重现性好,测定结果令人满意.     

电弧等离子体冶炼提纯工业硅(英文)

开发了一种把电弧等离子体冶炼和电磁感应搅拌熔体相联合的在高纯石墨坩埚内冶炼提纯工业硅的硅冶炼提纯技术.掺入到电弧等离子体工作气体流中的反应性气体在硅熔体液面处与杂质反应生成挥发性杂质化合物.工业硅中难去除的杂质是B,P和Al.用由水蒸气构成的反应性气体精炼熔融态工业硅来降低其中B和P的含量,随后定向凝固移除其他杂质.用此方法冶炼处理工业硅,其中的B,P,Al,Fe,Ti,Ca和Cu的含量从7.67,73,1931,2845,166,235和56mg/kg分别降低到5.85,29,202,676,36,89和9mg/kg.硅的纯度由原来的99.46%提纯高到99.93%.     

用量子力学方法计算半导体硅中某些深能级

采用了复合体模型，对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算，给出了相应的哈密顿算符，利用区域变分法计算，计算结果与实验测量数据符合较好     

晶硅定向凝固过程中熔液流动对溶质分布的影响

定向凝固方法是目前生产太阳能用晶体硅的主要方法。晶硅电池片的质量是影响晶硅电池效率的重要因素之一,而晶硅电池片的质量与硅锭中的溶质含量及分布情况密切相关。该文对定向凝固熔炉中心区域(包括硅、坩埚及石墨支架)建立了二维瞬态分析模型,研究了定向凝固过程中热场分布、溶质分布、液硅流动情况,并分析了熔液流动对溶质分布的影响。结果表明:随时间推进固液界面从平直变成略凹;径向温度梯度产生自然对流浮力,驱动熔液流动形成一个大涡,并随时间流动强度越来越大;在长晶初始阶段,存在明显的溶质边界层,之后受流动影响,溶质分布区域扩大到整个熔液中,并且分布形式与流线形状相似;溶质向界面中心区域聚集。     

冶金级硅酸洗提纯研究

冶金工艺被认为是非常有前途的一种有别于传统的西门子工艺而且能够满足市场对太阳能级硅需求的工艺.冶金级硅的预处理是冶金提纯工艺路径中非常重要的一个环节,因为酸洗可以有效地去除硅中的金属杂质例如铝、铁和钙等.通过系统性的对比试验对酸洗工艺去除硅中杂质的效果进行了详细的研究,分别探讨了酸的种类、酸的浓度、酸洗时间、酸洗温度以及硅粉颗粒粒径对杂质去除效率的影响.研究结果表明最佳的酸洗工艺参数为15%的盐酸,80℃,10h和100μm.在最佳酸洗工艺参数条件下金属杂质铝、铁和钙的去除率分别为70.90%、94.82%和82.69%.     

高灵敏度光伏硅杂质元素分析仪的研制

光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分析仪.仪器的性能测试中:能量线性偏差为0.23%,相对极差为0.06%,相对标准偏差为0.59%,同时探测器的能量分辨率为130 eV,均可证明满足光伏硅中Cr、V、Mn、Co、Ni、Fe等杂质元素的定量分析要求.同时,用该系统对某公司生产的光伏硅材料进行测试,结果与ICP-AES测试结果相吻合.     

高机械灵敏度悬空导电薄膜的制备方法研究

微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h,可得到厚度为3μm,边长为5 mm,方块电阻为1.12 Ω/sq,致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺;针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,给出了切实可行的解决办法.     

微型涡轮发动机设计与制造的若干关键技术

分析了微型涡轮发动机不同于宏观尺度的流动和燃烧特性(低雷诺数Re、高马赫数M、高库埃特Couette数和低毕渥Biot数的流动，极小空间超高燃烧负荷率的燃烧)。提出了在微尺度和超高转速条件下，传统的流体动力润滑理论所存在的局限性；研究了利用边界滑移实现微尺度条件下气体动力润滑轴承实现超高转速的可性。基于碳化硅材料在MEMS高温高强度条件下的应用前景，提出将硅基蚀刻与传统的碳化硅反应烧结和磨削加工等工艺进行结合，实现微型涡轮发动机碳化硅材料微细结构的机械加工。