荧光磷光复合有机电致发光白光器件

制备了由两层蓝色磷光发射层和一层红色荧光发射层组成的荧光磷光复合白光器件.器件的结构为ITO / NPB(40 nm) / 8% Firpic∶CBP(x nm) / DCJTB(1 nm) /8% Firpic∶CBP(40～x nm) / Bphen (30 nm) / Mg∶Ag (10∶1, 100 nm)/Ag(50 nm),其中位于两个蓝色磷光发射层中间的薄层DCJTB层作为非掺杂的红光发射层.器件具有良好的色坐标和较高的器件效率,当电流密度为15 A/m2,器件的最高效率为10.5 cd/A,此时亮度为150 cd/m2;当电流密度上升为3 000 A/m2时,器件亮度为14 400 cd/m2.     

基于FirPic的蓝色有机电致磷光器件

利用真空蒸镀的方法,制备了结构为ITO/NPB(20 nm)/MCP(3 nm)/MCP:Firpic(z%,x nm)/TPBi(10nm)/Alq3(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了不同掺杂浓度(z=5,8,10和12)和不同厚度(x=5,10,15,20和25)对器件性能的影响.首先确定MCP:Firpic层的厚度为5 nm,调节掺杂浓度.结果表明当掺杂浓度为10%时,器件的效率和亮度都为最大.驱动电压为8 V时,最大电流效率为6.996 cd/A;驱动电压为15 V时,最大亮度为10 064 cd/m2.在10%的掺杂浓度下,调节MCP:Firpic层的厚度.当厚度为20 nm时,器件的性能较好.驱动电压为13 V时,电流密度为2.248 mA/cm2,效率为10.35 cd/A;驱动电压为21 V时,电流密度为304.16 mA/cm2,亮度为21 950 cd/m2.     

调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

主要介绍结构为MeO-TAD(x nm)/NPB(40 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0 nm、1.0 nm、1.5 nm、2.0 nm变化,其它层保持不变.当x=2 nm时,其器件性能最好,在15 V时亮度达到最大,为5 876 cd/m2.器件的开启电压较低,在5 V的驱动电压下亮度达到10.5 cd/m2,器件在8 V电压时电流效率达到最大,为3.22 cd/A;且器件的色坐标稳定,在5 V到13 V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

8 羟基喹啉 \[2 (2 羟苯基) 5 苯基 1,3,4 噁二唑\] 合锌(Zn(ODZ)q)的合成及性能研究

利用8-羟基喹啉、2-(2-羟苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑与醋酸锌反应,合成了一种新型的有机电致发光材料8-羟基喹啉-[2-(2-羟苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]合锌(Zn(ODZ)q).研究了其发光性能、热稳定性.制作了器件结构为ITO(120 nm)/NPB(40 nm)/Zn(ODZ)q(60 nm)/Al(150 nm)的有机电致发光器件,器件的电致发光光谱峰值为588 nm.在驱动电压14V时,器件的最高亮度为1 290 cd/m2;电流密度为38.3 mA/cm2时,器件的最大电流效率达到1.49 cd/A.     

基于DSA-Ph高效率色稳定的蓝色荧光有机电致发光器件

采用蓝色荧光有机染料DSA-Ph作为客体材料,将其掺入主体材料BUBH-3中,制备了高效率色稳定的单发光层掺杂结构的蓝色有机荧光器件.当DSA-Ph掺杂质量比为3 wt.%时,器件的最大电流效率4.17 cd/A,对应色坐标为(0.161,0.286),亮度为5 038 cd/m2.当电压为14 V时,器件的最大亮度为16 160 cd/m2.另外,亮度从907 cd/m2增加到14 680 cd/m2过程中,其色坐标从(0.163,0.287)到(0.159,0.281),变化量ΔCIExy仅为(0.004,0.006).     

利用CBP作为缓冲层增加有机发光器件的效率

制备一种利用4，4′-N，N′-dicarbazole—biphenyl（CBP）作为超薄空穴注入缓冲层．CBP作为一种较好的缓冲材料，改善了有机发光器件的性能．CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴，从而平衡了空穴和电子的注入．有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高．当缓冲层CBP为4nm时，最大电流效率在8V时达到5．66cd／A，这是没有缓冲层器件电流效率的近1．5倍．     

空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响

本文利用有机发光材料4，4′，4″，-{N，-（2-naphthyl）-N-phenylamino}-triphenylamine（2T-NATA）作为空穴缓冲层，制备了结构为：ITO／2T-NATA／NPB／DPVBi／Alq3／LiF／Al的有机电致发光器件．在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使器件的亮度和效率得到了改善．当2T-NATA的厚度为15nm时，器件的性能最好．在电流密度为623mA/cm^2时最大亮度达到16530cd／m^2，对应的电流效率为2．65cd／A，器件的色坐标为（0．23，0．36），属于蓝绿光发射．     

基于萘基噁二唑衍生物环金属铱配合物的合成及其光电性能研究

合成并表征了两种基于萘基噁二唑衍生物环金属铱配合物(DFPhNOXD)2Ir(acac)和(DNOXD)2Ir(acac).以该类铱配合物为客体,聚9,9-二辛基芴(PFO)和2-叔丁基苯基-5-二苯基1,3,4噁二唑(PBD)为主体制作了电致发光器件.研究发现,两种配合物的电致发光均为红光,其中基于配合物(DFPhNOXD)2Ir(acac)的电致发光器件的发射峰在580nm处,626nm处有肩峰,器件的最大发光效率为1.9cd/A.基于配合物(DNOXD)2Ir(acac)的电致发光器件的发射峰在593nm处,642nm处有肩峰,最大发光效率为3.3cd/A.值得关注的是,在电流密度为100mA/cm2时,基于配合物(DNOXD)2Ir(acac)的发光器件的效率滚降不明显,发光效率仍保持在2.2cd/A.     

插入空穴阻挡层改善有机电致蓝光器件的色度

本文采用插入空穴阻挡层的方法制备了性能较好的有机蓝光器件.器件的结构为：ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al,当2T-NATA,NPB,DPVBi,TPBi,Alq3,LiF的厚度分别为15、30、15、15、30、0.5nm时,器件的性能最好.在电流密度为508mA/cm^2时,最大亮度达到8461cd/m^2,在电流密度为13mA/cm^2,器件的最大效率为2.99cd/A.且在4～13V较大的范围内,发光色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.12附近,是色纯度较好的蓝光器件.     

加CdS薄层的白色有机电致发光器件色度的优化

文章讨论了利用蓝色磷光小分子铱配合物[iridium(III)bis-(4',6'-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate(Fir6)]与黄色荧光染料Rubrene复合发光产生白光的设想.通过引入CdS薄层而增加电子注入,利用结构为ITO/2-TNATA/NPB/Rubrene/CBP/CBP:Fir6/CBP/Bphen/CdS/LiF/Al的器件,通过增加激子阻挡层CBP,获得了色度较好的白色有机电致发光器件.当两层激子阻挡层CBP厚度均为3 nm时,电压从启亮电压3.4 V开始至9 V为止,器件的色坐标从(0.36,0.36)变化到(0.32,0.31),使器件的色度获得了很好的改善.     

2，5-二芳基-1，3，4-噁二唑铕配合物的合成和发光性能研究

合成了一系列以2-芳基-5-(α -吡啶基)-1,3,4-噁二唑为中性配体的铕配合物,并对材料的结构和发光性能的关系进行了研究.研究表明:(1) 铕配合物在290～350 nm都有强烈的紫外吸收,且在紫外光的激发下都能产生铕离子的特征光谱(613 nm);(2) 配合物薄膜的荧光激发光谱与配合物溶液的激发光谱相比,由于分子间作用力增大,光谱蓝移了60 nm左右,但均为铕离子的特征光谱.以铕配合物为客体,以高分子材料聚乙烯基咔唑(PVK)为主体,制备的电致发光器件的最大亮度为15 cd/m2,在器件结构相同的条件下,配体结构对发光性能有较大的影响:Eu(DBM)3MeO-OXD和 Eu(DBM)3F-OXD相比,前者的光致发光强度比后者强,其电致发光的最大亮度却只有后者的四分之一.实验结果表明,通过对中性配体进行结构修饰,可以达到优化铕配合物的发光性能的目的.     

M_xZn_(3-0.5x)(PO_4)_2(M=Na,K)长余辉发光材料的发光性能和机理探讨

采用高温固相法制备以缺陷为发光中心的淡蓝绿色长余辉发光材料M_xZn_(3-0.5x)(PO_4)_2(M=Na,K)。XRD分析结果表明,M_xZn_(3-0.5x)(PO_4)_2的主要衍射峰与α-Zn_3(PO_4)_2的值相吻合。Na_(0.08)Zn_(2.96)(PO_4)_2激发峰位于332 nm处,发射峰在420～550 nm,最大值位于460 nm处,目测余辉时间达4 h。通过热释光曲线表征分析陷阱数量并计算了陷阱深度,分析表明,Na~+掺杂可以增强Zn_3(PO_4)_2在低温处的氧空位缺陷浓度,改善材料的陷阱深度,从而使材料发光。     

通过调整势垒高度改善有机电致白光器件的性能

通过利用ADN发光材料和其他各有机发光材料之间的能级关系设计了利用BCP作为空穴阻挡层,Alp3:DCJTB层和Alp3:DCJTB层之间的ADN层为发光层的三种结构的器件.实验结果表明,在NPB层和Alq3:DCJTB层之间不插入ADN,只在Alq3:DCJTB层和BCP层之间插入ADN的器件A的性能最好.其原因在于利用了NPB和发光层之间的LUMO能级较高的势垒限制了电子的迁移和输运,改善了激子的形成几率,促进了白光的形成.该器件的启亮电压为5V,当外加电压达到17V时,器件最大发光亮度达12450 cd/m2.最大效率是1.733 cd/A.     

混合元素掺杂对Sr_2MgSi_2O_7蓝色长余辉发光材料的影响

采用溶胶-凝胶法合成了不同元素混合掺杂Sr2MgSi2O7系列蓝色长余辉发光材料,并对其发光性能进行研究,探讨掺杂元素对材料发光性能的影响规律性.激发发射光谱实验表明其峰均为宽带峰,最大发射峰位于466nm附近,是由典型的Eu2＋的4f5d-4f跃迁导致的.所合成的Eu2＋,Dy3共掺杂发光材料Sr2MgSi2O7余辉时间可达8hrs以上,具有合适的能级陷阱0.76eV.     

共沉淀法合成La2O2S∶Tb3+荧光粉

采用共沉淀法合成了La2O2S∶Tb3+绿色荧光粉并进行了相关表征.结果表明,合成样品的晶体结构与La2O2S相同,属于六方晶系.颗粒的形貌多为长方形或矩形,结晶性能良好,晶粒大小2～10 μm.发射光谱由波长为490 nm、544 nm、587 nm、621 nm的一系列锐发射峰组成.最佳掺杂浓度x(Tb3+)为0.05 ～0.06.低浓度的Dy3+离子对La2O2S∶Tb3+荧光粉的绿色发光有敏化作用,Dy3+的适宜掺杂浓度x(Dy3+)为0.001 ～ 0.008.     

一种硅基顶发射有机发光器件

本文制作了一种硅基顶发射有机发光器件．采用紫外表面处理的金属银作为阳极;超薄的铝／银作为半透明的复合阴极;4,4′,4″-tris{N,-（3-methylphenyl）-N-phenylamin}triphenylamine（m-MTDATA）作为空穴注入层;N,N′-bis-（1-naphthyl）-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine（NPB）作为空穴传输层;tris（8-hydroxyquinoline）aluminium（Alq）作为发光层．器件在3V下开启,开启亮度为3cd／m^2;在11V达到最大亮度19610cd／m^2;在6V时达到最高效率2．7cd／A．     

近白光有机电致发光器件

利用高真空有机分子束沉积系统，我们选择了一种较好的蓝光材料4，4’-bis(2，2，’-diphenylbinyl)-1，1’-bipheny1(DPVBi)和黄光材料5，6，11，12，-tetraphenylnaphthacene(rubrene)采用适当的比例相混合产生白光效果，制备了近白光有机电致发光器件．在电压为16V时器件的亮度达到了最大值接近4272cd／m^2，器件的效率在电压为5V时为3．3cd／A，在电压为15V时器件的色坐标(0．34，0．36)，比较接近白光的等能点．     

端基对侧链含D A和红色磷光发色团聚 芴衍生物光电性能的影响研究

通过烷基将二(苯基异喹啉)(2-吡啶甲酸)合铱(Ⅲ)红色磷光基团、咔唑电子供体(D)单元和噁二唑电子受体(A)单元同时引入到芴单元9-位的侧链上,设计合成了一类侧链含D-A和环金属铱配合物功能基的聚芴衍生物.通过改变封端剂的分子结构,研究了端基对这类聚芴衍生物光电性能的影响.与引入苯基为端基相比,引入噁二唑为端基能够有效抑制聚芴衍生物的excimer发射,提高这类材料在ITO/PEDOT/聚合物/LiF/Al器件中的发光效率,其中,端基为噁二唑的聚芴衍生物(P1)器件的电流效率是端基为苯基的聚芴衍生物(P2)器件的1.42倍,达到了0.54 cd/A.     

Mg掺杂Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜的制备及其多铁性能表征

GaFeO_3(GFO)是一种同时具有室温铁电和低温亚铁磁性的单相多铁材料,且其磁性转变温度可以通过调节Fe元素含量提高至室温,具有广阔的应用前景.研究发现,室温下Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜具有铁电性和弱磁性,但是由于薄膜的漏电流较大,制约了其实际应用.采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺成功制备了Mg掺杂的Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜,薄膜厚度约为100 nm,并对Ga_(0.6)Mg_xFe_(1.4-x)O_3(GMFO)薄膜的铁电性尤其是漏电性能进行了表征.研究结果表明:Mg离子掺杂的薄膜样品在室温下表现出铁电性,当x=0.05时,薄膜具有相对而言优良的铁电性能,矫顽电场强度(E_c)为25 kV/cm,剩余极化强度(P_r)为4.89μC/cm~2;适量Mg离子的掺杂可以使薄膜的漏电流密度降低2个数量级,x=0.05时,对应薄膜的漏电流最小,漏电流密度在10~(-1)～10~(-5) A/cm~2范围内.随着Mg离子掺杂含量的继续增加,薄膜的漏电流密度逐渐变大.压电力显微技术(PFM)测试结果表明,GMFO薄膜的力电耦合主要来自于薄膜的线性压电信号.GMFO薄膜具有室温弱磁性,当x=0.05时,薄膜具有最大的剩余磁化强度为9.8 emu/cm~3.该实验结果对于提高GFO多铁材料的性能,从而实现纳米器件的应用具有重要的指导意义.