发可见光的掺氮砷化镓

鉴于氮在磷砷化镓中能形成等电子陷阱,人们曾希望向砷化镓掺氮并研究其有关特性,但均未获成功^[1~3]。主要困难是,即使用离子注入技术向砷化镓注¹⁴N⁺,但退火后的结果表明,氮的特征峰已不复存在。     

磷砷化镓中氮和氧引起的深能级

用离子注入技术对磷砷化镓进行了掺氮,给出了组分在0.175 ≤ x ≤ <0.8间氮能级随组分变化的方程式.     

砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释

本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.     

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年

本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.     

介孔氧化锆提高负载费托合成钴催化剂清洁柴油产率

报道一种具有高活性和高清洁柴油馏分(C12～C18)选择性的新型钴催化剂.比较了介孔氧化锆、介孔氧化硅(SBA-15)和传统氧化锫负载的费托合成钴催化剂.结果表明:9.1 nm孔尺寸大小介孔氧化锆负载的钴催化剂表现出好的费托合成催化性能,特别是高的以C12～C18石蜡作为主要成分的清洁柴油馏分选择性.     

氨基修饰桥联介孔材料的制备及其吸附性能研究

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,对二亚胺基苯桥联硅烷(AN-Si)和正硅酸乙酯为硅源,在碱性条件下合成了一种新型功能化桥键介孔氧化硅(AN-PMOs).用红外光谱、X射线粉末衍射、N2吸附-脱附、扫描电镜、透射电镜等方法对材料进行性能表征.并以Cd2+离子进行吸附性能测试.结果表明:有机基团的引入提高了材料的吸附能力,所得材料的静态饱和吸附容量达到98.03mg·g-1.     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后，其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化，势垒电容变大。Ｘ射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少，砷的结合能由原来的１３２１．４７ｅＶ变为１３２１．００ｅＶ，Ａｓ（２Ｐ＿（３／２））芯能级移位０．４７ｅＶ。砷化镓表面形成Ｓ－Ａｓ键，改善了表面费米能级的钉札，减少了表面态密度及表面复合中心。     

氨基甲酸酯基修饰桥键介孔材料的 制备及其吸附性能研究

以1,4-亚苯基二(丙基氨基甲酸酯基)桥联硅烷(AM-Si)和正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,碱性条件下合成了一种新型功能化桥键介孔氧化硅(AM-PMOs),用X射线粉末衍射(SAXRD) 、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重(TG)、红外光谱(IR)、N2吸附-脱附等手段对材料进行表征.并对Cd2+进行吸附性能测试,静态饱和吸附容量达到62.89 mg·g-1.     

金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法

详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.     

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

砷化镓中某些深能级陷阱间的平衡

介绍了作者对GaAs中四个深能级缺陷间的平衡所作的计算,并对这些缺陷的本性作出推测,对文献中的一些不同看法以及不同材料中这些能级数量上的差异作了讨论.最后对以前文章中的某些论点作了修改和补充.     

非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究

根据室温和77K下电学性质测试数据,计算了非掺杂VPEGaAs材料中空间电荷中心密度与散射截面积的乘积N_SOA,然后从N_SOA分别与N_D及μ_300K间的关系,推测空间电荷散射中心是某种Si_GS-(O₁,V₁)型的络合物.结合本工作,为了在AsCl₃欠纯的情况下获得适当纯度的外延层,在气相外延系统中装入去硫装置,有效地抑制了硫、硒等杂质,附带发现该装置对碳的去除也有一定效果.     

基于工作流的MIS开发工具:WF-MIS

分析了MIS开发工具支持MIS中流程定制和控制的实现的必要性。介绍了工作流技术的特点,提出将工作流技术应用到MIS开发工具中以实现MIS中的流程定制和控制;详细介绍了利用工作流构建的MIS开发工具WF-MIS的体系结构和实现过程,并介绍了如何利用其进行MIS开发．     

砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.     

土地利用规划综合业务信息一体化关键技术与应用

从土地利用规划业务的内容和特点分析出发,探讨了土地利用规划业务涉及的多源
数据管理、动态流程定制、空间历史回溯、规划预警、统计分析等关键技术,提出了基于工作
流、MIS 和GIS 有机集成的一体化解决方案,设计和实现了规划数据动态更新和业务信息一
体化的平台,并应用于天津市土地规划实施工作. 实践表明该方案有效,设计的平台功能完备
且性能较强,对促进土地规划业务的自动化、规范化以及提高工作效率有明显的作用.