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硅片直接键合机理研究 总被引:3,自引:0,他引:3
提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200-400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1-3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm2/V·sec及320cm2/V·sec. 相似文献
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本文对粉状颗粒和连续薄膜在γ-Fe2O3与Fe3O4之间的相变中矫顽力Hc的变化进行了讨论.无论在氧化中或还原中,球状颗粒和连续薄膜Hc的增加主要是应力各向异性引起的;而针状颗粒Hc的降低则是受到与颗粒尺寸变化相联系的形状各向异性的影响. 相似文献
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采用射频(RF)磁控溅射技术在Si(100)衬底上制备WSe2纳米薄膜,研究在不同制备压强(2.0、2.5、3.0 Pa)下WSe2纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明:溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响,随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe2的生长取向,XRD测试结果表明WSe2薄膜在(008)晶面优先生长,证明压强的不同会改变WSe2的晶体结构,提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明,WSe2纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe2具有可控性好,易于重复等优点,在构建多功能WSe2器件领域中具有很好的应用前景. 相似文献
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用物理模拟法研究了夹杂物MnS、Al2O3和Al2O3·Mns在晶内铁素体形核过程中的作用;用数字式金相显微镜观察了夹杂物界面附近区域的金相显微组织变化;用电子探针分析仪对夹杂物界面附近微区的化学成分进行了分析.研究结果表明:MnS、Al2O3和Al2O3·MnS不能使夹杂物与金属界面附近微区的化学成分发生变化,但MnS与Al2O3·MnS具有诱导晶内铁素体形核的能力,Al2O3不具有诱导晶内铁素体形核的能力;在氧、硫复合物Al2O3·MnS中,夹杂物表面的物质Mns在晶内铁素体形核过程中起着重要作用. 相似文献
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研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结. 相似文献
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报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近. 相似文献
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自石墨烯成功制备以来,二维碳基材料的研究受到了广泛关注,可期待克服硅基场效应管中出现的短沟道效应.采用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理方法,研究了石墨烯/PC6/石墨烯异质结输运特性.研究发现金属的石墨烯与半导体的PC6之间为肖特基接触,形成的势垒为0.15 eV.在非平衡态下,电流随电压增大,呈非线性增加特性.在较小的偏压下,可获得较大的开路电流. 相似文献
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近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道. 相似文献
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采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×1010陷阱/厘米2-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×1013离子/厘米2)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因. 相似文献
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本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10-4的解析式. 相似文献
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从CF2HCl裂解制备C2F4已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解[1]、分子束技术[2]、以及多光子解离[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO2激光为热源,研究了CF2HCl的非均相反应机理. 相似文献
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