晶体场理论中三种晶体场模型

本文分析了晶场理论中的三种晶场模型，并且讨论了它们之间的关系。     

LCAO——晶场轨道理论

给出一种新的晶场模型即ＬＣＡＯ—晶场轨道理论．该理论包括了奇宇称晶场的贡献及作为特殊情况的强场近似、弱场近似等．作为例子，我们将该模型用于ＣａＦ２、ＳｒＦ２晶体中Ｃｅ３＋离子晶场能级计算，与弱场情况比较，结果有明显地改进．     

计算晶场能谱的新模型

本文将晶场轨道看成原子轨道的线性组合，从而建立了计算晶场能谱的新模型及理论。该理论包含了旧理论，能同时体现偶宇称和寄宇称晶场的贡献，在一定条件下该理论可过渡到强场近似。     

32个点群的晶场势及其与坐标系的关系

基于晶体场理论,系统地给出了铁族离子32个点群的晶场势,并研究了坐标系取法不同时晶场势的变化．研究结果表明：对铁族离子,32个点群有8种不同形式的晶场势能．绕Z轴转动坐标系时,晶场势相因子可变化．在立方晶系中,当Z轴取向改变时,晶场势中出现新的项取代原来的项．     

近藤化合物Ce2CuxNi1-xGe6的磁性和晶场模拟

通过对磁化率的模拟,研究了晶场效应对Ce2CuxNi1-xGe6磁性的影响,得到了该系列化合物的分裂能和相应波函数.计算表明,Ce3 六重基态在晶场作用下分裂为混合的双基态,其晶场分裂能随X的增大而变大.Cu含量的增加引起了更加复杂的f电子和传导电子的杂化,低温区域的电子—磁子近藤散射变得更加强烈.     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物的磁晶各向异性场随温度和Ｇａ、Ｃ含量的变化关系,讨论了不同晶位的Ｇａ原子和间隙位Ｃ原子对磁晶各向异性的贡献。从而解释了Ｇａ原子对Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ和Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物磁晶各向异性的影响。     

双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管磁化强度的影响

本文利用有效场论研究了原子掺杂对纳米管晶格点磁化强度的影响. 结果表明, 掺杂程度、晶场取值概率、最近邻交换相互作用与晶场强度相互竞争, 使系统具有丰富的磁化特性. 当负晶场作用于系统时, 系统发生一级相变. 负晶场越强, 对系统磁化强度的阻碍作用越明显. 当晶场参数和掺杂程度不同时, 系统磁化强度随温度的变化表现出奇异性.     

各向异性晶场中横向Ising模型的相图

用相关有效场理论研究在各向异性晶场中自旋s=3/2横向Ising模型的磁性质,给出该Ising模型的相变公式,具体计算了具有配位数为3的蜂窝点阵的系统相变温度·结果表明各向异性晶场和横向磁场对具有蜂窝点阵的系统的相变温度有很大影响,当横向磁场小于0457时,无论各向异性晶场取值多大,转变温度都不会降到零,而当横向磁场降为零时,转变温度将趋近于常数0525,另外所有在相变点发生的相变皆为二级相变·     

恒温场制备极性玻璃陶瓷工艺的研究

以析晶理论为基础，深入探讨了定向析晶的成因及影响因素，提出了利用恒温场定向析晶制备片状和异型玻璃陶瓷的工艺，并对该工艺制出材料的结构、工艺因素对材料性能的影响进行了讨论。     

试论价键理论和晶体场理论的统一性

论述了价键理论和晶体场理论的统一性，并将两理论相结合，形成价键－晶体场理论，用于研究配合物的结构问题，取得了满意的结果。     

交流表面电场对BSO晶体全息图衍射率的增强效应

对交流表面电场中 BSO 晶体全息图的衍射率进行了理论分析和实验研究.实验结果表明,交流表面电场对衍射率有明显的增强作用.实验与理论取得了很好的一致.     

晶体电场对离子自旋─轨道耦合参数的影响

晶体电场对三价稀土离子自旋─轨道耦合参数有影响，是人们长期怀疑但尚无人作过定量分析与计算的问题．本文从相对论Ｄｉｒａｃ方程式给出的电子自族─轨道耦合参数表达式出发，以稀土氯化物为例，首次详细计算了晶体电场对稀土离子（Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｒ３＋、Ｙｂ３＋）４ｆ自旋─轨道耦合参数贡献的相对大小．计算结果表明：晶体电场对电子自旋─轨道耦合参数的贡献至多占稀土离子核库仑场贡献的万分之一，因此可以忽略不计．寻找电子自旋─轨道耦合参数实验值与理论值差别的途径，应该从离子的电子结构本身着手来研究．     

晶体对称性与光折变耦合作用

推导了除单斜和三斜之外的17种点群电光晶体在空间电荷场作用下有效电光系数具体表达式.据此讨论了这些晶体中光折变耦合作用特点。     

用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物

介绍了PIXE（质子激发X射线发射）分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限,用此分析技术,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定,发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn,Fe,Cu等污染元素,结果表明,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点,十分适合在这一领域的研究中应用。     

S=1伊辛模型的有限集团近似

用有限集团近似法（ＦＣＡ）研究了存在晶场的情况或无规键情况下Ｓ＝１横向伊辛模型的特性,数值计算了蜂窝状格子的相图,由有限集团近似得出的结果要比标准的平均场近似得出的效果好。     

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。     

DKDP晶体的固-固生长

本文描述 DKDP 晶体的固一回生长现象。它可以在四方母体上发生,也可以在单斜母体上发生。固一固生长过程与母相晶体的对称性有关,与周围的介质无关。测量了不同温度下的生长速度,对固一固生长的机制进行了讨论。