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1.
郑伟涛 《吉林大学自然科学学报》1996,(3):45-48
采用非平衡磁溅射方法,在不同衬底偏压条件下,在Si(001)衬底上制备出氮化碳薄膜,实验发现,氮化碳薄膜的沉积率取决于衬底偏压。通过对红外、电子能量损失谱的测试分析发现,衬底偏压对氮化碳薄膜中原子间的键合情况也有一定影响。 相似文献
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郑伟涛 《吉林大学自然科学学报》1997,49(1):63-65
通过非平衡磁溅射方法和发迹衬底温度,在单晶Si(001)衬底上制备了氮化碳薄膜材料。实验结果表明,氮经碳薄膜的沉积率,氮原子质量分数皆与衬度温度有关。薄膜中的氮原子与处于sp^2和sp^3杂化状态的碳原子相结合。 相似文献
3.
采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差. 相似文献
4.
本文较详细地研究了采用HFCVD方法在Si、Mo等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜,讨论了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响.结果表明在HFCVD方法中,金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感,生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长. 相似文献
5.
以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象. 相似文献
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采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式. 相似文献
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以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa下制得的薄膜样品带隙分别为1.825、1.74、1.82 e V.结果表明溅射压强为1.0 Pa时,带隙值最小,结晶质量最好. 相似文献
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采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si(100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰. 相似文献
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通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿(001)方向生长.提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制. 相似文献
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张伟力 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2002,18(4):16-19
本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后,将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征:X-射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光(PL)光谱中,自由激子(FE)和束缚激了(BE)发射都很明显。低温下,束缚激子(BE)复合发射占主要地位,而自由激子(FE)复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。 相似文献
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室温下测量了以石英为衬底的ZnO薄膜的吸收光谱及发光光谱,从谱图可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位. 相似文献
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张孔辉 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2004,20(5):40-42
利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光,氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成,峰的中心位置分别是在3.31和3.22eV,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线(1-LO).而在82K下,紫外发射谱是由光子能量分别在3.371eV,3.358eV,3.316eV,3.235ev和3.166eV峰组成.它们分别是自由激子,束缚激子和自由激子的一阶(1-LO)、二阶(2-LO)和三阶(3-LO)的声子伴线.根据变温光谱结果,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子(1-LO)伴线。 相似文献
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作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17. 相似文献
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磁控溅射薄膜的厚度分布 总被引:8,自引:0,他引:8
论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果. 相似文献