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基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路
引用本文:朱樟明,杨银堂,任乐宁.基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路[J].科学技术与工程,2006,6(2):143-146150.
作者姓名:朱樟明  杨银堂  任乐宁
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
基金项目:国家自然科学基金(60476046),部委基金(51408010203DZ0124、51408010304DZ0140、51408010205DZ0164),国家重点实验室基金(51433030103DZ0101)资助
摘    要:基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,计总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V 2.4 GHz Gilbert混频器电路,并采用TSMC 0.25 μm 2P5MC MOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。

关 键 词:CMOS  准浮栅  超低电压  模拟电路  运放  混频器
文章编号:1671-1815(2006)02-0143-05
收稿时间:2005-09-27
修稿时间:2005年9月27日

Ultra-low Voltage Analog Integrated Circuits Based on CMOS Quasi-floating-gate Transistors
ZHU Zhangming,YANG Yintang,REN Lenin.Ultra-low Voltage Analog Integrated Circuits Based on CMOS Quasi-floating-gate Transistors[J].Science Technology and Engineering,2006,6(2):143-146150.
Authors:ZHU Zhangming  YANG Yintang  REN Lenin
Abstract:
Keywords:CMOS quasi-floating-gate ultra-low voltage analog circuits OPA mixer
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