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对苄二硫醇在玻碳汞膜电极上吸附伏安行为的研究
引用本文:周运友,郭荷民,方宾,朱英贵,李茂国,陶海升.对苄二硫醇在玻碳汞膜电极上吸附伏安行为的研究[J].安徽师范大学学报(自然科学版),1998,21(2):152-155.
作者姓名:周运友  郭荷民  方宾  朱英贵  李茂国  陶海升
作者单位:安徽师范大学化学系,安徽医科大学基础部
摘    要:本文研究了对苄二硫醇在玻碳汞膜电极上的伏安行为,发现在KNO3介质中,于-0.75V有一灵敏的还原峰,该峰具有较强的吸附性质,属阴极溶出峰.实验表明,在4.3×10-7~8.0×10-5mol/L浓度范围内,1.5微分还原峰电流与对苄二硫醇浓度有良好的线性关系,检出限为1.3×10-7mol/L.

关 键 词:玻碳汞膜电极  吸附伏安法  对苄二硫醇
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