| 用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质 |
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| 引用本文： | 连世阳,廖远琰.用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质[J].厦门大学学报(自然科学版),1993,32(4):434-438. |
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| 作者姓名： | 连世阳 廖远琰 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系
(连世阳，杨锦赐，陈张海)，厦门大学化学系(廖远琰) |
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| 摘 要： | 用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。
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| 关 键 词： | 半导体 杂质 散射谱 激光 |
Analytic Studies of Impurities in Semiconductors by Raman Spectroscopy |
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| Lian Shiyang Yang Jinci Chen Zhanghai Liao Yuanyan.Analytic Studies of Impurities in Semiconductors by Raman Spectroscopy[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1993,32(4):434-438. |
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| Authors: | Lian Shiyang Yang Jinci Chen Zhanghai Liao Yuanyan |
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| Institution: | Lian Shiyang Yang Jinci Chen Zhanghai Liao Yuanyan(Dept. of Phys. ) (Dept. of Chem. ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman spectroscopy Impurities in semiconductors |
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