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| 低压化学气相淀积的计算机模拟 | |
| 作者姓名： | 王季陶 |
| 作者单位： | 复旦大学 |
| 摘 要： | 本文对LPCVD多晶硅淀积速率分布进行了计算机模拟.模拟算式的推导如下: 1.据Duchemin报道,硅烷热分解是一级反应.淀积速率r=K·P·C(K是常数,P是总压力,C是硅烷浓度). 2.由于薄膜淀积均匀,可假定径向浓度梯度为零.硅烷进入反应管后,逐步分解.因此硅烷转化率η可写成是片子位置j的函数η(j)(见右上图). |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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