| 一种新型的a-Si:H静电感应晶体管 |
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| 引用本文： | 林璇英 林揆训. 一种新型的a-Si:H静电感应晶体管[J]. 汕头大学学报(自然科学版), 1990, 5(1): 36-42 |
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| 作者姓名： | 林璇英 林揆训 |
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| 摘 要： | 我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10~(16)cm~(-3)ev~(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为几兆周.
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| 关 键 词： | 静电感应晶体管 肖特基结 隙态密度 沟道宽度 |
A New-Type a-Si: H Static Induction Transistor |
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| Lin Xuanying Lin Kuixun Wang Dehe Chen Zhiquan. A New-Type a-Si: H Static Induction Transistor[J]. Journal of Shantou University(Natural Science Edition), 1990, 5(1): 36-42 |
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| Authors: | Lin Xuanying Lin Kuixun Wang Dehe Chen Zhiquan |
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| Affiliation: | Lin Xuanying Lin Kuixun Wang Dehe Chen Zhiquan |
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| Abstract: | In this paper we prcpose a new-type a-Si: H static induction transistor with a aurface Schottky gate. The new design simplifies the production process of the device and minimizes the influence of the interface states. Simulation analysis on computer shows that an on/off current effect up to 10~8can be obtained when the gap—state densoity is 1× 10~(16)om~(-3)ev~(-1) and that the gap-state density and channel width are the main Parameters that influence the transfer characteristics of the device. |
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| Keywords: | Static induction transistor Schottky junction Gap-state density Channel width |
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