| 量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化 |
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| 引用本文： | 杨靖波,王荣,孙旭芳,刘运宏,段立颖.量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化[J].北京师范大学学报(自然科学版),2005,41(4):383-385. |
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| 作者姓名： | 杨靖波 王荣 孙旭芳 刘运宏 段立颖 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所;北京师范大学低能核物理研究所;北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京市辐射中心 100875,北京 |
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| 基金项目： | 北京市优秀人才培养基金，北京市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 2MeV,1×109～2×1013 cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012 cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012 cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900～1000nm波长范围,2×1013 cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.
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| 关 键 词： | 量子阱 GaAs太阳电池 质子辐照 |
| 收稿时间： | 2005-02-22 |
| 修稿时间： | 2005年2月22日 |
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