| 面沟道离子的半波长和阻止本领 |
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| 引用本文： | 金卫国,赵国庆.面沟道离子的半波长和阻止本领[J].复旦学报(自然科学版),1987(4). |
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| 作者姓名： | 金卫国 赵国庆 |
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| 作者单位： | 复旦大学原子核科学系
(金卫国)，复旦大学原子核科学系(赵国庆) |
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| 基金项目： | 复旦大学自然科学青年基金 |
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| 摘 要： | 带电粒子在单晶面沟道中,由于受到面沟道势的作用,呈现周期性的振荡运动.随着粒子逐步深入晶体,粒子周期性地接近晶格平面,这时各种近距相互作用几率增强.如果测量背散射粒子能谱,就能在表面附近看到许多产额增强引起的小峰(精细结构),每一小峰对应于粒子每次接近品格平面,而两小峰之间的能量差△E对应于粒子振荡运动的半波长λ/2,有下列关系式; △E=λ/2S_γ(K~2E)cosθ_(in)/cosθ_(out)+K~2γ(E)S_γ(E)]其中θ_(in)是入射束相对于样品表面法线的入射角;θ_(out)是背散射粒子相对于样品表面法线的出射角(探测器所置角度);K~2是运动学散射因子;E是入射粒子能量;S_γ(E)是随机方向的阻止本领;γ(E)是能量为E的面沟道粒子阻止本领与随机方向入射粒子阻止
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