| PECVD法制备氮化硅薄膜的电学性能研究 |
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| 引用本文： | 凌绪玉.PECVD法制备氮化硅薄膜的电学性能研究[J].西南民族学院学报(自然科学版),2013,39(4). |
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| 作者姓名： | 凌绪玉 |
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| 作者单位： | 西南民族大学电气信息工程学院,四川成都,610041 |
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| 摘 要： | 以硅烷和氨气为前驱体,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备了氮化硅(SiNx)薄膜.利用X射线光电子能谱和红外光谱,研究了在不同的硅烷/氨气流量比条件下,合成的氮化硅薄膜的组分和结构.结果表明:随着硅烷氨气流量比的增加,薄膜的氮硅原子比率增加；更多Si-N成键态随着NH3/SiH4流量比的增加获得.Ⅰ-Ⅴ曲线展现了氮化硅薄膜的电学性能.
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| 关 键 词： | 等离子增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 电子材料 电学性能 |
The electrical property of SiNx films by PECVD |
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| LIN Xu-yu.The electrical property of SiNx films by PECVD[J].Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition),2013,39(4). |
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| Authors: | LIN Xu-yu |
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