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| 低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化 | |
| 作者姓名： | 李海博 齐虹 王晓光 李玉玲 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片与微系统工程中心,黑龙江哈尔滨150001 |
| 摘 要： | 低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。 |
| 关 键 词： | 正交试验 低应力Si3N4 优化 应力测试 |
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