| 半导体器件流体动力学模型研究 |
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| 引用本文： | 那斯尔江·吐尔逊,吴金,杨廉峰,刘其贵,夏君,魏同立. 半导体器件流体动力学模型研究[J]. 东南大学学报(自然科学版), 1999, 29(5): 52-56 |
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| 作者姓名： | 那斯尔江·吐尔逊 吴金 杨廉峰 刘其贵 夏君 魏同立 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心!南京210096 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 主要讨论了亚微米半导体器件模拟的流体动力学模型方程的建立过程。流体动力学模型由玻尔兹曼传输模型方程的矩推导而来，对玻尔兹曼传输模型采用不同的物理假设和数学近似，可以得到不同形式的流体动力学模型。同时，对各种不同形式的流体动力学模型的相互转换关系进行了系统分析，给出了半导体器件各种输运模型的适用范围等特性，为通用亚微米半导器件模拟软件的模型选择提供了参考依据。
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| 关 键 词： | 亚微米 半导体器件 流体动力学模型 驰豫时间 |
半导体器件流体动力学模型研究 |
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| Nasirjan Tursun Wu Jin Yang Lianfeng Liu Qigui Xia Jun Wei Tongli. 半导体器件流体动力学模型研究[J]. Journal of Southeast University(Natural Science Edition), 1999, 29(5): 52-56 |
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| Authors: | Nasirjan Tursun Wu Jin Yang Lianfeng Liu Qigui Xia Jun Wei Tongli |
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| Abstract: | This paper presents the building procedures of hydrodynamic model for submicron semiconductor device simulation. The derivations of this model are based on the moments of Boltzmann transport equation. With different physical assumptions and mathematical approximation, the actual forms of hydrodynamic model are various. This paper also analyzes the relationships between the hydrodynamic models with different forms and gives out the application features of different device transport models. Thus it is advisable to choose the device model for general submicron semiconductor device simulation according the conclusion of this paper. |
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| Keywords: | submicron semiconductor device hydrodynamic model relaxation time |
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