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| NiTi形状记忆合金薄膜的残余应力 | |
| 引用本文： | 吴廷斌,漆璿,王文杰,董荆山,江伯鸿,王莉,蔡炳初.NiTi形状记忆合金薄膜的残余应力[J].上海交通大学学报,2001(2). |
| 作者姓名： | 吴廷斌 漆璿 王文杰 董荆山 江伯鸿 王莉 蔡炳初 |
| 摘 要： | 采用 X射线掠射法和轮廓法 ,测量了单晶 Si基板上用磁控溅射法制备的 Ni Ti形状记忆合金薄膜的残余应力 ,分析了其与薄膜厚度以及晶化处理温度等工艺条件的关系 .结果表明 :该薄膜中的残余应力主要来源于薄膜同基板材料的膨胀系数和晶格参数不匹配 ;薄膜厚度越大 ,残余应力越小 ;晶化处理温度对因热胀系数差异带来的热拉应力因马氏体相变而致的相变压应力均有不同程度的影响 . |