|
|||||
|
|
| 高压下非晶半导体薄膜材料吸收边的测定 | |
| 作者姓名： | 金曾孙 箕村茂 |
| 作者单位： | 吉林大学原子分子物理研究所(金曾孙)，日本北海道大学理学部(箕村茂) |
| 摘 要： | 本文使用金刚石对顶砧压机(DAC)和MSM-25C型显微分光光度计测量了压非晶硅(a-Si:H)和非晶三硫化二砷(a-As_2S_3)的吸收边的影响。在0-50kbar范围内,a-Si:H吸收边的压力系数△E_g/△P≈-8×10~(-4)eV/kbar,在0—22力对kbar压力范围内,a-As_2S_3吸收边的压力系数△E_g/△P≈-1.4×10~(-2)eV/压力kbar,而且在压力作用下它们的吸收边的变化是不可逆的。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |