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| γ辐照对MOS结构中可动离子的影响 | |
| 引用本文： | 吕世骥,赵杰,马见慈,吴宗汉.γ辐照对MOS结构中可动离子的影响[J].东南大学学报(自然科学版),1985(2). |
| 作者姓名： | 吕世骥 赵杰 马见慈 吴宗汉 |
| 作者单位： | 南京工学院电子工程系 进师(吕世骥)，南京工学院电子工程系 研究生(赵杰)，南京工学院物理化学系 讲师(马见慈，吴宗汉) |
| 摘 要： | 本工作利用TSIC和B-T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_2膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子总量大大减少。利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对实验结果进行了讨论。计算表明理论与实验吻合较好。 |
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