| 等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究 |
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| 引用本文： | 朱永丹,杨建平,李兴鳌,左安友,袁作彬.等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究[J].湖北民族学院学报(哲学社会科学版),2008,26(2). |
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| 作者姓名： | 朱永丹 杨建平 李兴鳌 左安友 袁作彬 |
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| 作者单位： | [1]湖北民族学院信息工程学院,湖北恩施445000 [2]湖北民族学院理学院,湖北恩施445000 |
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| 摘 要： | 等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.
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| 关 键 词： | 集成电路制造 等离子体蚀刻 蚀刺率 选择比 |
Study of Plasma Etch on Deep Trench Silicon Polysilicon |
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| ZHU Yong-dan,YANG Jian-ping,LI Xin-gao,ZUO An-you,YUAN Zuo-bin.Study of Plasma Etch on Deep Trench Silicon Polysilicon[J].Journal of Hubei Institute for Nationalities(Natural Sciences),2008,26(2). |
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| Authors: | ZHU Yong-dan YANG Jian-ping LI Xin-gao ZUO An-you YUAN Zuo-bin |
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