| Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈科帆,邓建华,赵飞,程国安,郑瑞廷.Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响[J].中国科学:信息科学,2010(5):540-545. |
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| 作者姓名： | 陈科帆 邓建华 赵飞 程国安 郑瑞廷 |
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| 作者单位： | 北京师范大学核科学与技术学院,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（＂973＂计划）（批准号：2010CB832905）;; 国家自然科学基金（批准号：10575011）;; 教育部重点科技项目（批准号：108124）资助 |
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| 摘 要： | 利用MEVVA离子源在多壁碳纳米管阵列中注入Zn元素,实现多壁碳纳米管阵列的Zn离子掺杂,分析Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响.研究发现：Zn离子注入会使多壁碳纳米管顶端产生结构损伤,由多层石墨结构的碳纳米管转变为无定形碳纳米线,Zn与C形成C：Zn固溶复合结构.较低注入剂量下形成的C：Zn复合结构使有效功函数降低,场电子发射的开启电场和阈值电场分别由0.80和1.31V/μm降低到0.66和1.04V/μm,提高了多壁碳纳米管阵列的场发射性能.大注入剂量造成的严重结构损伤会降低场增强因子,使场发射性能下降.
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| 关 键 词： | 多壁碳纳米管 离子注入 场发射性能 |
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