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| Cu掺杂BN磁性的第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 王青,韩雨红,兰斌,孟绸绸.Cu掺杂BN磁性的第一性原理计算[J].兰州理工大学学报,2013(5):162-165. |
| 作者姓名： | 王青 韩雨红 兰斌 孟绸绸 |
| 作者单位： | 兰州理工大学理学院;兰州蓝天浮法玻璃股份有限公司 |
| 摘 要： | 利用LDA+U进行优化,在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Cu掺杂的闪锌矿稀磁半导体B0.9375Cu0.0625N的电子结构和磁性进行研究.结果表明,Cu掺杂BN会产生自旋极化状态,能带结构显示半金属性质,掺杂后带隙变窄,计算所得磁矩为2.06μB,其铁磁性的形成主要是p-d电子杂化,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值. |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 第一性原理 电子结构 磁性 |
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