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| 纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响 | |
| 作者姓名： | 王志强 屈媛 杨福军 班士良 |
| 作者单位： | 内蒙古大学物理科学与技术学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学资助项目基金(批准号:61274098) |
| 摘 要： | 对三元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修正的无序元素等位移(MREI)模型,横光学声子则分别采用线性拟合(LF)和二次多项式拟合(QMF)方法,计算获得界面声子对电子的散射作用.结果表明,用LF方法获得的电子迁移率高于用QMF方法计算的值.随着Al组分的增加,两种方法之值均逐渐单调增加,且变化趋势类似.在适当的Al组分时,两种方法得到的电子迁移率都存在极值点. |
| 关 键 词： | AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱 电子迁移率 二次多项式拟合 三元混晶效应 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |