| Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射 |
| |
| 引用本文： | 连世阳,杨锦赐.Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射[J].厦门大学学报(自然科学版),1990(5). |
| |
| 作者姓名： | 连世阳 杨锦赐 |
| |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系
(连世阳)，厦门大学物理学系(杨锦赐) |
| |
| 摘 要： | 研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果。从实验中求出x=0.71和x=0.61 两种样品的直接带隙E_0 分别为2.44 eV和2.31 eV。
|
| 关 键 词： | TO声子形变势 共振喇曼散射 |
Resonant Raman Scattering by TO Pnonon Deformation Potential in Ga_(1-x_Al_xAs |
| |
| Lian Shiyang Yang Jinci Dept. of Phys..Resonant Raman Scattering by TO Pnonon Deformation Potential in Ga_(1-x_Al_xAs[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1990(5). |
| |
| Authors: | Lian Shiyang Yang Jinci Dept of Phys |
| |
| Institution: | Lian Shiyang Yang Jinci Dept. of Phys. |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | TO phonon deformation potcntial Resonant Raman scattering |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
