低温溅射AIN薄膜的光学分析 |
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引用本文: | 李兴教
,徐则川
,何自由
,苏武大
,曾亦可.低温溅射AIN薄膜的光学分析[J].华中科技大学学报(自然科学版),1984(4). |
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作者姓名: | 李兴教 徐则川 何自由 苏武大 曾亦可 |
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摘 要: | 本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。结果表明,薄膜的红外吸收谱在700cm~(-1)处有一吸收带,与块状晶体相同,因此有较宽的红外透过区。热处理后红外谱无明显变化。薄膜的紫外吸收谱表明:禁带宽度为5.9~6.0eV,在N_2中热处理后,吸收过不发生平移,禁带宽度也不发生变化。在O_2中处理两小时后,禁带宽度减小到5.7eV。所有热处理都使非指数尾部变化。
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