| 硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究 |
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| 作者姓名： | 李英龙 张仁刚 宋力刚 卓雯 陈书真 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学理学院,湖北 武汉,430065,武汉科技大学理学院,湖北 武汉,430065,武汉科技大学理学院,湖北 武汉,430065,武汉科技大学理学院,湖北 武汉,430065,武汉科技大学理学院,湖北 武汉,430065 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅科研计划资助项目(D20121109). |
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| 摘 要： | 以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1atm压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长;其ZnS特征吸收边出现在350nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率;在450℃温度下退火后再于550℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高。
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| 关 键 词： | ZnS薄膜 溅射 蒸发 退火 透光率 晶体结构 硫化反应 |
| 收稿时间： | 2016/3/11 0:00:00 |
Structure and optical properties of ZnS thin films grown by a sulfidation reaction |
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| Authors: | Li Yinlong Zhang Rengang Song Ligang Zhuo Wen and Chen Shuzhen |
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| Institution: | College of Science, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430065, China,College of Science, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430065, China,College of Science, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430065, China,College of Science, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430065, China and College of Science, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430065, China |
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