首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究
引用本文:牛文成,俞梅,周雅光,张福海,李华伟,贾云芳,那兴波,罗伟栋. 基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究[J]. 南开大学学报(自然科学版), 2002, 35(2): 19-22
作者姓名:牛文成  俞梅  周雅光  张福海  李华伟  贾云芳  那兴波  罗伟栋
作者单位:南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系,南开大学微电子科学系 天津,300071,天津,300071,天津,300071,天津,300071,天津,300071,天津,300071,天
基金项目:国家自然科学基金 ( 6 9876 0 2 3),天津市自然科学重点基金 ( 99380 0 6 1 1 )
摘    要:本文以In2O3及其混合物为敏感材料,采用悬浮栅结构和功函数方法,研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O3传感器,并给出传感器对O3响应曲线以及实验结果的理论分析等。

关 键 词:In2O3膜 HSGFET型 功函数 O3传感器
文章编号:0465-7942(2002)02-0019-04
修稿时间:2001-05-24

HSGFET WORK FUNCTION OZONE SENSORS BASED ON In2O3 LAYERS
NIU Wencheng,YU Mei,ZHOU Yaguang,ZHANG Fuhai,LI Huawei,JIA Yunfang,NA Xingbo,LUO Weidong. HSGFET WORK FUNCTION OZONE SENSORS BASED ON In2O3 LAYERS[J]. Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis, 2002, 35(2): 19-22
Authors:NIU Wencheng  YU Mei  ZHOU Yaguang  ZHANG Fuhai  LI Huawei  JIA Yunfang  NA Xingbo  LUO Weidong
Abstract:HSGFET work function ozone sensors based on In 2O 3 sensitive layers operating at room temperature are studied. The sensor characteristics sensing to ozone are given and experiment results are also discussed.
Keywords:indium oxide leyers  hybrid suspended-gate field-effect transistor(HSGFET)  work function  ozone sensors
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号