| MP-CVD-Si_3N_4膜应力测试研究 |
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| 引用本文： | 周邦伟,吴庭棣,甄汉生,吴锦发,董清云. MP-CVD-Si_3N_4膜应力测试研究[J]. 清华大学学报(自然科学版), 1987, 0(4) |
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| 作者姓名： | 周邦伟 吴庭棣 甄汉生 吴锦发 董清云 |
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| 作者单位： | 清华大学无线电电子学系(周邦伟，吴庭棣，甄汉生，吴锦发)，中国科学院半导体研究所(董清云) |
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| 摘 要： | 本文介绍了采用 ＭＰ—ＣＶＤ方法低温（基片不加热）沉积 Ｓｉ３Ｎ４膜的应力分析。经过测试研究证明Ｓｉ３Ｎ４膜为压应力，并作了应力随工艺参数变化趋势的研究。由于此法制备的薄膜为无定形结构，应力分析方法主要采用了光学法，并用Ｘ光衍射ｓｉｎ２Ψ法进行了探讨
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| 关 键 词： | 电子回旋共振(ECR) 共振吸收 化学汽相沉积 |
Stress Measurement in MP-CV D-Si_3N_4 Films under ECR |
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| Chou Bangwei,Wu Tingdi,Zhen Hansheng,Wu Jinfa. Stress Measurement in MP-CV D-Si_3N_4 Films under ECR[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 1987, 0(4) |
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| Authors: | Chou Bangwei Wu Tingdi Zhen Hansheng Wu Jinfa |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron cyclotron resonance (ECR) resonance absorption chemical vapor deposition (CVD). |
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