纳米硅薄膜的压阻效应 |
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作者姓名: | 何宇亮 |
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作者单位: | 北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室,北京理工大学电子工程系,北京理工大学电子工程系 北京100083 南京大学物理系与固体微结构物理实验室,南京210008,北京100083 北京理工大学电子工程系,北京100081,北京100083,北京100081,北京100081 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,航空科学基金 |
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摘 要: | 固体纳米材料已被认为是当前极有发展前景的一种人工功能材料.许多先进国家皆已把它列为21世纪重大课题而给予重视.我们使用了常规的PECVD薄膜沉积技术已成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜(nc-Si:H).由于纳米硅膜是由占体积百分比X_c≈50%的细微晶粒(d=3~5nm)及X_I≈50%的晶粒界面所组成,已发现大量界面组织的存在对nc-Si:H膜的结构和物性产生重要的作用.业已观测到,nc-Si:H膜中的界面是由细微晶粒的无规排列
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关 键 词: | 纳米硅 界面 压阻效应 薄膜 硅 |
收稿时间: | 1994-05-05 |
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