3d~5离子四阶自旋哈密顿参量 |
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引用本文: | 余万伦.3d~5离子四阶自旋哈密顿参量[J].四川师范大学学报(自然科学版),1991(3). |
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作者姓名: | 余万伦 |
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作者单位: | 中国高等科学技术中心物理系 |
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摘 要: | 本文研究了四角对称下 3d~5离子四阶自旋哈密顿参量 a 和 F.主要结论包括:i)低对称晶场对立方参量a 有贡献 a′;ii)a′一般是不可忽略的,且大体上为-1/2F;iii)低对称场 B_(20)和 B′_(40)对 a′和 F 都有贡献,它们具有类似的重要性;iv)激发态中,~4T_1,~4E,~4T_2,~2T_2和 ~2E 对 a′和 F 的贡献是重要的,而其余的多重态的贡献则可忽略.理论上得出的 F 的符号与实验一致.本文正确地解释了一些物质的四阶自旋哈密顿参量.
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