| GaN蓝光材料新型ZnO /Si外延衬底的溅射沉积 |
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| 引用本文： | 贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜.GaN蓝光材料新型ZnO /Si外延衬底的溅射沉积[J].中国科学(E辑),2000,30(2):127-131. |
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| 作者姓名： | 贺洪波 范正修 姚振钰 汤兆胜 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心,上海,201800
2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术“八六三”计划资助 |
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| 摘 要： | 采用常规磁控溅射方法 ,通过优化工艺 ,在Si( 10 0 ) ,Si( 111)多种基片上沉积ZnO薄膜 .利用透射电镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)和X射线摇摆曲线 (XRC) ,对ZnO薄膜的微区形貌、结晶情况、C轴择优取向进行了详细的测试分析 .结果表明 ,所制备的ZnO薄膜具有理想的结构特性 ,大多数样品测得ZnO( 0 0 2 )晶面XRC的半高宽 (FWHM)为 1°左右 ,最小值达 0 .3 5 3°,优于目前国内外同类研究的最佳结果 2°.并对ZnO/Si( 10 0 )与ZnO/Si( 111)衬底的结果进行了比较和讨论 .
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| 关 键 词： | 磁控溅射 氧化锌 硅 氮化镓 蓝光器件 溅射沉积 |
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