| 极性半导体异质结构中束缚极化子的电离能 |
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| 引用本文： | 楚兴丽,刘自信.极性半导体异质结构中束缚极化子的电离能[J].河南师范大学学报(自然科学版),2004,32(2):31-33. |
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| 作者姓名： | 楚兴丽 刘自信 |
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| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60276004)，河南省自然科学基金，河南省骨干教师资助项目 |
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| 摘 要： | 本文研究任意磁场存在下阶梯阱内类氦杂质的极化子效应,我们分别给出了束缚在类氦施主杂质中心的单个和双个极化子在磁场中的哈密顿,计算了它们对类氦杂质束缚能的影响.结果表明,势垒的高度、量子阱的宽度以及杂质中心在阱中的位置对束缚能都有重要的影响,并且阶梯阱的存在也增强了极化效应.最后,我们将对这一结果进行合理地解释.
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| 关 键 词： | 双束缚极化子 阶梯阱 束缚能 |
| 文章编号： | 1000-2367(2004)02-0031-03 |
| 修稿时间： | 2004年2月12日 |
Double bound polaron in polar semiconductor heterostructures |
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| CHU Xing-li,LIU Zi-xin.Double bound polaron in polar semiconductor heterostructures[J].Journal of Henan Normal University(Natural Science),2004,32(2):31-33. |
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| Authors: | CHU Xing-li LIU Zi-xin |
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| Abstract: | In this paper we discuss the single as well as the double polaron bound to a helium-type donor impurity in a magnetic field in a general step quantum well. We calculate their binding energy and investigate the influence of the well step. We find that the polaronic effects are strengthened due to the well step. We give a reasonable explanation for this phenomenon. |
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| Keywords: | Double bound polaron General step well Binding energy |
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