| GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究 |
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| 引用本文： | 吕毅军,高玉琳,林顺勇,郑健生,张勇,MASCARENHAS A,辛火平,杜武青.GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2004,43(4). |
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| 作者姓名： | 吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MASCARENHAS A 辛火平 杜武青 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.
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| 关 键 词： | 发光 Ⅲ-Ⅴ半导体 带隙弯曲 |
Investigation on the Emission Recombination Mechanism of GaP1-xNx Alloys(x=0.24%～31%) |
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| Abstract: | |
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