| 铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性 |
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| 引用本文： | 王兆文,高炳亮,赵冰洋,邱竹贤.铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性[J].东北大学学报(自然科学版),2002,23(4):345-347. |
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| 作者姓名： | 王兆文 高炳亮 赵冰洋 邱竹贤 |
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| 作者单位： | 东北大学材料与冶金学院;东北大学材料与冶金学院;东北大学材料与冶金学院;东北大学材料与冶金学院辽宁沈阳110004;辽宁沈阳110004;辽宁沈阳110004;辽宁沈阳110004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (5 0 1740 17)，国家重点基础研究发展规划项目 (19990 64 90 3 ) |
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| 摘 要： | 研究了在有氧气存在的条件下碳化硅砖的抗腐蚀情况,测定了在不同温度下碳化硅砖在氧气流中的抗氧化情况,发现在850℃和750℃时的氧化情况差别不大,但明显好于950℃时的氧化情况·观察了试样在950℃时的动态腐蚀情况,发现在有氧气存在的条件下,碳化硅砖在电解质中的腐蚀速度明显加快·因此认为在750～850℃的低温电解是新型惰性电极电解槽的首选工艺·
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| 关 键 词： | 碳化硅砖 铝电解槽 腐蚀 氧化 |
| 文章编号： | 1005-3026(2002)04-0345-03 |
| 修稿时间： | 2001年10月26日 |
Corrosion Resistance of SiC Insulation Side Wall for Aluminum Reduction Cell |
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| WANG Zhao wen,GAO Bing liang,ZHAO Bing yang,QIU Zhu xian.Corrosion Resistance of SiC Insulation Side Wall for Aluminum Reduction Cell[J].Journal of Northeastern University(Natural Science),2002,23(4):345-347. |
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| Authors: | WANG Zhao wen GAO Bing liang ZHAO Bing yang QIU Zhu xian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide aluminum electrolyse corrosion oxidation |
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