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3.1~10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计
引用本文:宋睿丰,廖怀林,黄如,王阳元. 3.1~10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计[J]. 北京大学学报(自然科学版), 2007, 43(1): 78-81
作者姓名:宋睿丰  廖怀林  黄如  王阳元
作者单位:北京大学微电子系,北京,100871;北京大学微电子系,北京,100871;北京大学微电子系,北京,100871;北京大学微电子系,北京,100871
摘    要:采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1~10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.

关 键 词:低噪声放大器  超宽带  正向增益S21  噪声系数
修稿时间:2006-02-222006-05-19

Design of a 3.1-10.6 GHz Ultra Wideband Low Noise Amplifier
SONG Ruifeng,LIAO Huailin,HUANG Ru,WANG Yangyuan. Design of a 3.1-10.6 GHz Ultra Wideband Low Noise Amplifier[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 2007, 43(1): 78-81
Authors:SONG Ruifeng  LIAO Huailin  HUANG Ru  WANG Yangyuan
Affiliation:Institute of Microelectronic, Peking University, Beijing, 100871
Abstract:
Keywords:low noise amplifier   ultra wideband   $21    noise figure
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