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45nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估
引用本文:黄正峰,王敏,李雪筠,鲁迎春,倪天明.45nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2020,43(3):364-369.
作者姓名:黄正峰  王敏  李雪筠  鲁迎春  倪天明
作者单位:合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601,合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601,合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601,合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601,安徽工程大学电气工程学院,安徽芜湖241000
基金项目:安徽工程大学科研启动基金;安徽省自然科学基金;国家自然科学基金
摘    要:

关 键 词:三模冗余(TMR)  表决器  容错  晶体管级

Performance evaluation of triple modular redundancy hardened latches in 45 nm CMOS technology
HUANG Zhengfeng,WANG Min,LI Xueyun,LU Yingchun,NI Tianming.Performance evaluation of triple modular redundancy hardened latches in 45 nm CMOS technology[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2020,43(3):364-369.
Authors:HUANG Zhengfeng  WANG Min  LI Xueyun  LU Yingchun  NI Tianming
Abstract:
Keywords:
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