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| 一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计 | |
| 引用本文： | 梁焰,吴玉广.一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计[J].科技资讯,2007(30):68-69. |
| 作者姓名： | 梁焰 吴玉广 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,陕西西安,710071 |
| 摘 要： | 在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能.电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用.本文设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC0.25μmCMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真. |
| 关 键 词： | 带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1672-3791(2007)10(c)-0068-02 |
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