超导HEB混频器的设计与制备 |
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作者姓名: | 王金平 康琳 王玉 钟杨音 梁敏 陈健 曹春海 许伟伟 吴培亨 |
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作者单位: | 南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(编号: 2006AA12Z120)和国家重点基础研究发展计划(编号: 2006CB601006, 2007CB310404)资助项目 |
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摘 要: | 展示了一种基于超导NbN薄膜材料的HEB混频器的设计与制备工艺, 详细介绍了高阻硅衬底上的超薄NbN薄膜的生长技术、HEB器件的结构、超导微桥区和平面等角螺旋天线的阻抗匹配等内容. 测量研究了超导NbN HEB的电阻-温度(R-T?)曲线、不同温度下的电流-电压(I-V?)曲线以及HEB对太赫兹(THz)信号的响应特性. 用Y因子方法测量了HEB器件的噪声温度, 在2.5 THz的太赫兹波辐照下, 其最低噪声温度为2213 K.
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关 键 词: | HEB 超薄NbN薄膜 平面等角螺旋天线 噪声温度 |
收稿时间: | 2008-10-24 |
修稿时间: | 2008-12-28 |
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