| 低TCR锰铜薄膜的制备 |
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| 引用本文： | 叶伏秋.低TCR锰铜薄膜的制备[J].湖北民族学院学报(哲学社会科学版),2004,22(2):49-51. |
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| 作者姓名： | 叶伏秋 |
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| 作者单位： | 吉首大学物理与电子工程系 湖南 |
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| 基金项目： | 湖南省教育厅科研基金资助(03C336). |
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| 摘 要： | 根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论.
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| 关 键 词： | 锰铜 薄膜 电阻温度系数 直流磁控溅射 |
| 文章编号： | 1008-8423(2004)02-0049-03 |
| 修稿时间： | 2003年11月22 |
Preparation of the Low TCR Manganin Thin Films |
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| YE Fu-qiu.Preparation of the Low TCR Manganin Thin Films[J].Journal of Hubei Institute for Nationalities(Natural Sciences),2004,22(2):49-51. |
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| Authors: | YE Fu-qiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | manganin thin films TCR D C Magnetron Sputtering |
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