偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:A1透明导电膜 |
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引用本文: | 杨田林,高绪团,韩盛浩. 偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:A1透明导电膜[J]. 曲阜师范大学学报, 2002, 28(4): 59-63 |
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作者姓名: | 杨田林 高绪团 韩盛浩 |
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作者单位: | 山东理工大学物理系,山东理工大学物理系,山东大学物理与微电子学院 255049,山东省淄博市,255049,山东省淄博市,250100,山东省济南市 |
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基金项目: | 国家自然基金资助课题 (60 1760 2 1) |
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摘 要: | 用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [0 0 2 ]方向的择优取向 .重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系 .
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关 键 词: | 偏压磁控溅射法 柔性衬底 制备 ZnO:A1透明导电膜 光电性质 AZO薄膜 负偏压 |
文章编号: | 1001-5337(2002)04-0059-05 |
修稿时间: | 2002-05-07 |
ZnO:Al FILMS DEPOSITED ON WATER-COOLED FLEXIBLE SUBSTRATES BY BIAS RF MAGNETRON SPUTTERING |
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Abstract: | |
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Keywords: | electrical and optical properties AZO films bias voltage Sputtering |
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