| 钙通道Cav3.1的S4区域在其电压依赖性失活过程中的作用 |
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| 引用本文： | 李俊英.钙通道Cav3.1的S4区域在其电压依赖性失活过程中的作用[J].科学通报,2007,52(8):898-902. |
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| 作者姓名： | 李俊英 |
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| 作者单位： | 南开大学物理学院生物物理系,生物活性材料教育部重点实验室,天津,300071 |
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| 摘 要： | 电压依赖性失活在钙通道的生理功能中起重要作用, 参与通道失活的分子结构域目前还不清楚. 为研究T型钙通道Cav3.1分子中第4跨膜区(S4)在电压依赖性失活中的作用, 用Cav1.2通道(无电压依赖性失活)的S4区替换Cav3.1 (快速电压依赖性失活)的相应S4区域, 构建嵌合通道(chimera), 并在卵母细胞中表达, 用双电极电压钳记录其通道电流. 结果显示, 替换结构域Ⅰ中的S4使Cav3.1的稳态失活曲线左移, V0.5失活和k失活值显著改变; 替换其余结构域(Ⅱ~Ⅳ)的S4对失活的电压依赖性无显著影响. 结果表明, 结构域Ⅰ的S4参与通道的失活过程, 不同结构域的S4 在Cav3.1失活中的作用不同, 提示结构域Ⅰ的S4可能起偶联膜电位变化与通道失活的作用, 膜电位变化引起S4移动可能是通道失活区分子结构变化的触发因素.
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| 关 键 词： | Cav3.1 钙离子通道 电压依赖性失活 第4跨膜区(S4) |
| 收稿时间： | 2006-11-14 |
| 修稿时间： | 2006-11-142007-04-02 |
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