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| 多次沉积对a-Si:H薄膜光电性质的影响 | |
| 作者姓名： | 江进杰 |
| 摘 要： | 本文通过对多次沉积和一次沉积制备a—Si:H薄膜光电性质的对比测试发现:多次沉积a—Si:H薄膜的暗电导率,在外电场的作用下发生衰减现象;光致变化行为与一次沉积a—Si:H薄膜的Staebler-Wronski效应不同;表观吸收系数也有较大的变化.对上述现象产生的原因进行了初步的分析. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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