| 掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究 |
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| 引用本文： | 夏秀文,王水凤,元美玲. 掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究[J]. 井冈山学院学报, 2002, 0(5) |
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| 作者姓名： | 夏秀文 王水凤 元美玲 |
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| 作者单位： | 井冈山师范学院物理系 江西吉安343009(夏秀文)，南昌大学物理系 江西南昌330047(王水凤)，南昌大学物理系 江西南昌330047(元美玲) |
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| 摘 要： | 通过对SiO2∶Nd的PL谱分析,并与SiO2∶La、SiO2∶Ce、Si+SiO2、C+SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性
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| 关 键 词： | 硅基氧化膜发光 光致发光 稀土掺杂 |
Study of photoluminescence propertiesin Nd-doped-Si-based oxide films |
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| XIA Xiu-wen,WANG Shui-feng,Yuan Mei-ling. Study of photoluminescence propertiesin Nd-doped-Si-based oxide films[J]. Journal of Jinggangshan University, 2002, 0(5) |
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| Authors: | XIA Xiu-wen WANG Shui-feng Yuan Mei-ling |
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| Affiliation: | XIA Xiu-wen1,WANG Shui-feng2,Yuan Mei-ling2 |
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